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应用
CASICON 2021前瞻:复旦大学青年研究员樊嘉杰将出席南京功率与射频半导体应用峰会
复旦大学
樊嘉杰
CASICON
2021
SiC功率器件
先进封装
材料
可靠性
优化设计
CASICON 2021前瞻:南京大学电子科学与工程学院陈鹏教授将出席南京功率与射频半导体应用峰会
南京大学
陈鹏教授
GaN基
肖特基
功率器件
研究
新进展
中科院上海微系统所程新红研究员将出席南京功率与射频应用峰会,将带来“SOI基GaN材料及功率
器件
集成技术进展”
中科院上海微系统所
程新红
研究员
南京功率
射频应用峰会,SOIGaN材料
功率器件
集成技术
电子科技大学教授邓小川将出席南京功率与射频应用峰会 分享极端应力下SiC MOSFET
器件
动态可靠性研究进展
不低于10亿元 中晶科技拟投建
器件
芯片用硅扩散片等项目
国星光电:公司近期推出的第三代半导体新品GaN-DFN
器件
可应用于新能源汽车充电、手机快充等
国星光电
第三代半导体
GaN-DFN器件
新能源汽车
充电
手机快充
芯微电子二期项目开工 可年产3.5亿只功率半导体
器件
美迪凯拟投资10亿元建年产20亿颗(件、套)半导体
器件
项目
华灿光电:已与多个终端客户公司开展氮化镓电力电子
器件
等应用领域合作
富士电机增资3.6亿美金,大力发展功率
器件
基本半导体SiC功率
器件
准备就绪 目标是它
这个项目将新添一条氮化镓共封装
器件
生产线 年产值可达到12亿元
灿科半导体将增加一条氮化镓共封装
器件
生产线 年产值可达12亿元
碳化硅材料技术对
器件
可靠性的影响
斯达半导:拟募资35亿元用于多项功率
器件
扩建项目
Microchip推出新型中等带宽FPGA
器件
,实现边缘计算系统功率和性能的飞跃
Microchip
低密度
PolarFireÒ器件
静态功耗
器件
发热区域
Microchip
Technology
Inc
快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”,落地这一领域可每年省电40亿度
英飞凌
第三代半导体
器件
MOSFET
SiC
MOSFET
SiC模块
GaN
HEMT
IGBT
Si基GaN 射频
器件
研究进展
宽禁带半导体进军新能源汽车,国内业者应如何正视差距补齐短板?
宽禁带
半导体
进军
新能源汽车
芯片设计
芯片
碳化硅器件
MOSFET
SiC
华微电子:公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体
器件
技术
捷捷微电:电力电子
器件
生产线建设项目,募集资金已经投完
宽禁带半导体:一场能源转换链中的革命
碳化硅
氮化镓
宽禁带
第三代
半导体
物理
高压
高频
高功率
半导体器件
功率
器件
火爆!安世半导体多款MOSFET产品交期现已高达69周
功率器件
安世半导体
MOSFET
产品交期
西安交大在柔性
器件
力学结构设计与智能柔性传感领域取得突破
2021年中国功率
器件
行业市场供需现状
华微电子目前正在投建新型电力电子
器件
基地项目
锦浪科技与飞尼奥签署日常经营重大合同 涉及购买IGBT等电子元
器件
民德电子:拟募资5亿元发力碳化硅功率
器件
项目
碳化硅功率
器件
的发展现状及其在电力系统中的应用展望
国星光电:已完成三代半功率
器件
实验室及功率
器件
试产线建立工作
第
28
页/共
34
页
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