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解析 Wolfspeed 顶部散热 (TSC) 碳化硅功率
器件
2025云南晶体大会前瞻| 北京大学孙栋:外尔半导体Te--新一代中红外半导体
器件
材料
2025云南晶体大会前瞻| 刘纪美院士:用于集成的硅基III-V
器件
2025云南晶体大会前瞻|中国科学院半导体所徐驰:从气体源到
器件
:面向下一代信息技术的硅-锗-锡类半导体全流程研究
2025云南晶体大会前瞻|厦门大学卢卫芳:GaN/InGaN基核-壳纳米结构选区外延及其Micro-LED
器件
制备研究
2025(前湾)第三代半导体产业发展大会暨芯片
器件
及应用项目路演活动即将举办
2025云南晶体大会前瞻|广东工业大学张紫辉:GaN功率半导体
器件
仿真建模与制备研究
2025云南晶体大会前瞻|北京大学王嘉铭:III族氮化物AlGaN基紫外发光
器件
结构堆垛研究
SiC 新型功率 MOS
器件
结构以及栅驱动电路的设计与研究
2025云南晶体大会前瞻|西安电子科技大学宁静:超宽禁带半导体范德华异质结构及
器件
研究
英诺赛科宣布第三代700V GaN增强型氮化镓功率
器件
系列全面上市
碳化硅功率
器件
的性能与应用前景-国晶微半导体
派瑞股份与西电所签署合作协议,研发制造中高压IGBT功率
器件
标准 | 《用于HEMT功率
器件
的硅衬底氮化镓外延片》发布
智能光子
器件
封装测试平台的国际公开招标公告
新洁能延期包括第三代半导体SiC/GaN功率
器件
及封测等三个募投项目
半导体
器件
设备制造商芯空宇泽获天使轮融资
半导体
器件
设备制造商芯空宇泽获天使轮融资
年产120万只!浙江萃锦半导体
器件
项目在慈溪高新区正式开工
镓未来完成亿元级B++轮融资,专注氮化镓功率
器件
研发
九峰山实验室新型SiC Trench MOSFET科研级
器件
样品发布!
重磅议程更新 | IPF 2025功率
器件
制造测试与应用大会最新议程揭晓,速来围观!
广东致能:全球首发硅基垂直 GaN HEMT 功率
器件
技术
标准/“GaN HEMT开关可靠性试验、功率
器件
用硅衬底GaN外延片”2项标准形成委员会草案
从
器件
突破到平台赋能,国创中心构筑产业协同“芯”生态
银河微电拟3.1亿扩产高端集成电路分立
器件
产业化项目
YOLE:2030年碳化硅功率
器件
市场规模将破百亿美元
四部门:加快高压碳化硅模块、主控芯片等核心
器件
国产化替代
厦门士兰微8英寸碳化硅功率
器件
芯片制造生产线项目(一期)首台设备提前搬入
斯达半导拟再融资15亿元,投向SiC等3大车规
器件
项目
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