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杭州士兰微电子取得半导体器件专利，控制了栅漏电容
 评论 ⋅  2025-01-21 10:11
总投资10亿元，芯瓷科技半导体功率器件用DPC陶瓷基板项目投产
 评论 ⋅  2025-01-20 17:26
年产100万只高速光通信器件和模块项目正式启动厂房装修工程
 评论 ⋅  2025-01-10 10:59
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-07 14:55
世界首个采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投运
 评论 ⋅  2025-01-06 19:07
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-06 09:40
甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台正式投用
 评论 ⋅  2024-12-31 16:23
昌龙智芯半导体功率器件项目投资超5亿元
 评论 ⋅  2024-12-31 15:59
行业Top级厂商齐聚功率器件展区！CSE 2025等您来探！
 评论 ⋅  2024-12-27 19:41
功率半导体器件研发商中微创芯完成近亿元Pre-B轮融资
 评论 ⋅  2024-12-27 14:39
广州华瑞升阳申请宽禁带半导体器件专利，降低宽禁带半导体器件导通损耗和栅介质层击穿风险
 评论 ⋅  2024-12-26 09:56
晶体材料及元器件厂商飞锐特完成数千万元A轮融资
 评论 ⋅  2024-12-24 13:52
光迅科技高端光电子器件产业基地一期达产
 评论 ⋅  2024-12-20 11:14
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
华虹半导体申请集成半导体器件及其制备方法专利，提高芯片整体抗EMI能力
 评论 ⋅  2024-12-19 13:37
总投资3亿元，深矽微科技功率器件封装生产基地项目首批设备正式进场
 评论 ⋅  2024-12-19 11:56
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（三） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-18 16:34
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-17 16:33
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（一） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-16 17:13
光谷筑芯微电子精密器件智造基地(首开区) 项目喜封金顶！
 评论 ⋅  2024-12-13 09:23
“2024年度（第十七届）华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选”进入公众投票阶段
 评论 ⋅  2024-12-13 07:11
镓和半导体李山： 氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究
 评论 ⋅  2024-12-12 15:51
碳化硅功率器件及其封装技术（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-10 15:02
专家说丨化合物半导体器件的三大方向进展
 评论 ⋅  2024-12-10 11:36
碳化硅功率器件及其封装技术发展探讨（一）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-09 11:40
中微公司陈丹莹：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-05 11:07
平湖实验室何光泽：面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用| IFWS2024
 评论 ⋅  2024-11-29 13:52
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