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CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟：高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究
 评论 ⋅  2025-05-08 16:26
江南大学成果推介:氮化镓微波功率器件
 评论 ⋅  2025-05-07 17:34
总投资超50亿元，中低压功率器件产业化（株洲）建设项目封顶
 评论 ⋅  2025-05-07 17:33
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰：氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究
 评论 ⋅  2025-05-07 15:19
CSPSD 2025前瞻|南京大学叶建东：氧化镓异质结构与器件
 评论 ⋅  2025-05-07 15:06
CSPSD 2025前瞻|爱发科王鹤鸣：面向功率器件制造的先进离子注入解决方案的集成工艺与创新
 评论 ⋅  2025-05-07 14:38
最新报告嘉宾公布！2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD2025）
 评论 ⋅  2025-05-07 10:31
CSPSD 2025前瞻|北京大学魏进：GaN功率器件动态电阻与动态阈值电压
 评论 ⋅  2025-05-07 10:04
CSPSD 2025前瞻|炽芯微电子朱正宇：功率器件封装技术的发展及展望
 评论 ⋅  2025-05-06 16:38
CSPSD 2025前瞻|中国科学院微电子所黄森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件与集成
 评论 ⋅  2025-04-30 14:19
中国科学院半导体研究所光电子材料与器件全国重点实验室诚邀全球英才加盟
 评论 ⋅  2025-04-30 10:15
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:23
CSPSD 2025前瞻| 电子科技大学乔明：用于XPU供电的DrMOS器件发展趋势与技术挑战
 评论 ⋅  2025-04-29 15:10
瑶芯微申请沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法专利，降低器件动态损耗
 评论 ⋅  2025-04-22 11:01
重庆万国半导体申请沟槽型功率半导体器件及其制备方法专利，提高开关速度与线性区能力
 评论 ⋅  2025-04-18 20:05
苏州晶湛半导体申请发光器件相关专利，提高了发光器件生产良率
 评论 ⋅  2025-04-18 18:58
三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-17 15:22
广东比亚迪节能科技申请MEMS器件及其封装方法专利，降低主体晶圆与衬底晶圆封装难度
 评论 ⋅  2025-04-16 19:36
美国海关宣布对消费电子、服务器、半导体器件等20项商品豁免关税
 评论 ⋅  2025-04-14 17:30
英飞凌科技申请功率半导体器件相关专利，提升功率半导体器件性能
 评论 ⋅  2025-04-09 15:30
黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块专利，短路保护精度和效率更高
 评论 ⋅  2025-04-08 15:43
鲁晶半导体与山东大学共建碳化硅功率器件产学研合作新生态
 评论 ⋅  2025-04-07 15:28
闻泰科技：公司预计包括SiC、GaN和IGBT在内的高压功率器件和模拟芯片产品将从2025年底开始逐步放量
 评论 ⋅  2025-03-28 15:02
冠石科技显示器件募投项目结项，将向光掩膜版项目增资1.33亿元
 评论 ⋅  2025-03-24 16:53
国星光电：子公司风华芯电氮化镓器件实现量产并开始接单
 评论 ⋅  2025-03-21 15:01
上海光通信申请半导体结构相关专利，缩小半导体结构线宽提高器件密度
 评论 ⋅  2025-03-20 11:00
会议通知| 2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）将于5月22-24日在南京召开
 评论 ⋅  2025-03-20 08:15
中芯北方取得半导体器件及其形成方法专利
 评论 ⋅  2025-03-19 16:39
中信证券：建议关注SiC器件领军厂商以及衬底环节的本土龙头
 评论 ⋅  2025-03-18 11:34
广东芯赛威取得电源管理芯片及电路专利，可提高氮化镓器件在电源应用中的可靠性
 评论 ⋅  2025-03-11 15:59
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