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报告前瞻| 阳光电动力万富翔:新一代功率
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世界首个采用6.5kV功率
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基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT
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及其制备方法”专利公布
甬江实验室信息材料与微纳
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制备平台正式投用
昌龙智芯半导体功率
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行业Top级厂商齐聚功率
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研发商中微创芯完成近亿元Pre-B轮融资
广州华瑞升阳申请宽禁带半导体
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专利,降低宽禁带半导体
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厂商飞锐特完成数千万元A轮融资
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成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率
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扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET
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专利,改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利,有效降低
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华虹半导体申请集成半导体
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及其制备方法专利,提高芯片整体抗EMI能力
总投资3亿元,深矽微科技功率
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封装生产基地项目首批设备正式进场
氮化镓功率电子
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技术进展探讨(三) |IFWS&SSLCHINA2024
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