目前，Si基和GaAs基器件在性能上存在一定的局限性，特别是在高频微波与大功率应用方面难以同时达到理想状态。具体而言，Si基器件虽然具备成熟的制造工艺和较低的成本，但在高频性能上有所欠缺；而GaAs基器件虽然在高频领域表现出色，但其大功率处理能力却相对有限。
此外，就GaN基商用微波功率器件而言，尽管其在高频微波与大功率应用方面展现出巨大的潜力，但当前国内在该领域尚未能实现具有自主知识产权的量产方案。这一现状限制了GaN基器件在国内市场的广泛应用和进一步发展。
关键技术点
面向3-28GHz的5G微波功率放大器
采用了纳米栅极结构设计，并结合了低接触电阻的欧姆工艺，以此为基础，创新性地开发了拓扑阻抗匹配网络，以提升放大器的性能。
面向65/100W20A的功率开关器件：
采用了MIS自对准栅极结构，并结合了优化的钝化技术，以确保器件在高功率条件下的稳定性和可靠性。
合作成效
本项目成果申请专利2项，授权专利1项。已完成功能验证，证实该方案可行。未来可用于手机电脑快速充电等充电领域。
专家介绍
敖金平教授
江南大学集成电路学院博士生导师
科学研究
曾任电子部第十三研究所研究室副主任，高级工程师，从事 GaAs器件与集成电路的研究工作。主持过863计划、预研和国家攻关计划等项目。2001年赴日本国立德岛大学工作，从事GaN材料与器件的研究工作。主持或参与过日本科学研究辅助金、JST、SCOPE和NEDO等多个项目的研究。与丰田、住友电工、日亚化学等日本著名公司有多年的合作关系。2016年入选国家高层次人才计划，任西安电子科技大学特聘教授。作为项目负责人，完成了国家“十三五”重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“GaN基新型电力电子器件关键技术”项目。在国际学术期刊和国际会议上发表论文300多篇，拥有三十多项发明专利。获电子工业部科技进步奖三等奖、陕西省科学技术奖一等奖。
学术兼职及荣誉
国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员
华中科技大学客座教授（2010年-2012年）
徳岛大学全球化大学院工学教育奖（2012年）
徳岛大学工学部国际化贡献奖（2013年）
深圳大学访问教授（2017年-2019年）
王霄副教授
江南大学集成电路学院硕士生导师
科学研究
依托江南大学宽禁带半导体研究中心，开展基于宽禁带半导体器件、功率器件与集成电路、智能传感系统等方向的研究。在国际刊物（IEEE EDL、IEEE TED等）发表论文40多篇，其中第一作者或通讯作者16篇，主持国家自然科学基金青年项目、江苏省重点研发计划子课题、重庆市科技创新重大研发项目子课题和中央高校科研业务费等多项，参与国家重点研发计划、国家自然科学基金重大项目、国家自然科学基金面上项目等多项，申请/授权发明专利20余项，参加国际学术会议IFWS、APCSCRM、ISNE、INPEC等并作邀请报告多次，获中国电子学会科技进步二等奖1项，指导学生获“挑战杯”、“集成电路创新创业大赛”、“睿抗机器人开发者大赛”等竞赛国家级奖项多次。
学术兼职及荣誉
中国电子学会科技进步二等奖（2022）
ISNE国际会议化合物半导体材料与器件分会场联席主席（2022）
西安市D类人才
优秀本科毕业设计指导教师
IEEE Electron Device Letters/ IEEE Transactions on Electron Devices/ Journal of Physics D-Applied Physics/Nanoscale Research Letters/Current Applied Physics等期刊审稿人
联系方式
敖金平教授，江南大学集成电路学院博士生导师。
联系方式：jpao1800@jiangnan.edu.cn
王霄副教授，江南大学集成电路学院硕士生导师。
联系方式：x.wang@jiangnan.edu.cn
贾捷，江南大学无锡高新区工业智能产业创新研究院。
联系方式：17851306116
(来源：江南大学-高新区工业智能研究院)
