2025年4月29日，由厦门市三安集成电路有限公司牵头起草的T/CASAS 057—202X《高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法》以及由苏州晶湛半导体有限公司牵头起草的T/CASAS 060—202X《功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片》已完成征求意见稿的编制，正式面向第三代半导体产业技术创新战略联盟成员单位征求意见，为期一个月。根据联盟标准化工作管理办法，2025年4月29日起开始征求意见，截止日期2025年5月29日。
征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位；非联盟成员单位如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。
征求意见标准列表（No.2）
T/CASAS 057—202X《高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法》
本文件规定了用于评估高频开关应用下（频率≥100kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效，以确保其以快充适配器代表的典型应用领域下稳定运行，实现系统整体性能的提升。
本文件适用于进行GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件；
2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件；
3） 以上的晶圆级及封装级产品。
T/CASAS 060—202X《功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片》
本文件规定了功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片的分类和标记、要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和储存。
本文件适用于功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片。产品主要用于制作功率半导体及电子器件。
