从器件突破到平台赋能,国创中心构筑产业协同“芯”生态

日期:2025-07-17 阅读:422
核心提示:国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台是由深圳市科创局与深重投集团联合打造的新型科研机构。

 作为深圳“20+8”战略性新兴产业和未来产业之一,深圳集成电路产业的核心竞争力不断提升。

日前,国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台成功制备出国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率晶体管功率器件。该器件能在高温高压等极端环境下实现更小体积的高效功率传输,未来将应用于智能电网、航空航天等领域。

国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台是由深圳市科创局与深重投集团联合打造的新型科研机构。2024年底,该中心建成了全国首个集科研和中试于一体的8吋先进功率半导体开放共享平台。2025年以来,科研项目进度持续加快,累计已完成122台国产化设备的验证与熟化工作。

为支持产业发展,深圳市发展和改革委员会日前出台《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》,从高端芯片产品突破、突破核心设备及配套零部件等方面提出10条具体支持举措。为强化资金保障,由深重投集团、深创投集团等发起设立的总规模50亿元的深圳市半导体与集成电路产业投资基金“赛米产业私募基金”,已于5月完成工商登记注册。

统计显示,今年上半年,深圳集成电路产业规模达1424亿元,创历史同期新高,同比增长16.9%。专家指出,这一成就离不开产业集群协同发展的大背景,我们需要将国内外先进技术、理念和人才汇聚深圳,共同推动产业进步。

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