8月15日晚，斯达半导发布公告称，拟募资35亿元用于高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目、SiC芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目以及补充流动资金。
高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目拟通过新建厂房及仓库等配套设施，购置光刻机、显影机、刻蚀机、PECVD、退火炉、电子显微镜等设备，用于实施高压特色工艺功率芯片的研发和产业化项目。项目达产后，预计将形成年产30万片6英寸高压特色工艺功率芯片生产能力。
SiC芯片研发及产业化项目拟通过新建厂房及仓库等配套设施，购置光刻机、涂胶显影机、铝刻蚀机、高温注入机等设备，开展SiC芯片的研发和产业化。项目达产后，预计将形成年产6万片6英寸SiC芯片生产能力。
功率半导体模块生产线自动化改造项目拟利用现有厂房实施生产线自动化改造项目，购置全自动划片机、在线式全自动印刷机、在线式全自动贴片机、在线式全自动真空回流炉、在线式全自动清洗机等设备，实施功率半导体模块生产线自动化改造项目。项目达产后，预计将形成新增年产400万片的功率半导体模块的生产能力。
公告指出，2014年，国务院印发了《国家集成电路产业发展推进纲要》，将集成电路产业发展上升为国家战略，明确了“十三五”期间国内集成电路产业发展的重点及目标。中国作为世界上最大的半导体芯片消费市场，长期以来，集成电路产业严重依赖进口，贸易逆差较大。第三代半导体具备高频、高效、高功率、耐高温高压等特点，契合节能减排、智能制造等国家重大战略需求，已成为全球半导体技术和产业新的竞争焦点。国家先后印发了《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019 版）》《能源技术创新“十三五”规划》等鼓励性、支持性政策，将SiC、GaN 和AlN等第三代半导体材料纳入重点新材料目录，推动支持 SiC等第三代半导体材料的制造及应用技术的突破。公司紧跟市场浪潮和政策步伐，加大高压特色工艺功率芯片研发及产业化投入和 SiC 芯片研发及产业化投入，持续扩大以 IGBT 模块、SiC 模块为代表的功率半导体模块产能，稳固公司行业地位。
斯达半导长期致力于IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计和工艺以及IGBT、SiC等功率模块的设计、制造和测试。公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。公司在现有产品结构的基础上，充分考虑新能源汽车、轨道交通、智能电网等下游行业的需求以及技术方向，以公司现有的技术为依托，实施高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目和SiC芯片研发及产业化项目。项目的实施有利于丰富公司的产品结构，进一步提升公司综合竞争力。
斯达半导是国内IGBT行业的领军企业，生产的IGBT模块、SiC模块已获得包括新能源汽车客户在内的众多客户认可，进口替代比率持续提高。同时，随着新能源汽车、新能源发电等行业的需求拉动，以IGBT模块为代表的功率半导体模块呈现供不应求的局面。实施以IGBT、SiC 模块为主的功率半导体模块生产线自动化改造项目，将进一步扩大公司产能，有助于企业把握市场机遇，提高市场占有率。
本次非公开发行股票募集资金部分用于补充流动资金，有利于缓解公司的资金压力，推进公司业务规模的拓展，保障了公司研发创新及业务扩张等活动的持续正常开展，可进一步优化公司的财务结构，有利于降低公司财务风险，提高公司的偿债能力和抗风险能力，保障公司的持续、稳定、健康发展。
