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标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:23
前瞻| 电子科技大学乔明：用于XPU供电的DrMOS器件发展趋势与技术挑战
 评论 ⋅  2025-04-29 15:10
瑶芯微申请沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法专利，降低器件动态损耗
 评论 ⋅  2025-04-22 11:01
国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
重庆万国半导体申请沟槽型功率半导体器件及其制备方法专利，提高开关速度与线性区能力
 评论 ⋅  2025-04-18 20:05
苏州晶湛半导体申请发光器件相关专利，提高了发光器件生产良率
 评论 ⋅  2025-04-18 18:58
三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-17 15:22
广东比亚迪节能科技申请MEMS器件及其封装方法专利，降低主体晶圆与衬底晶圆封装难度
 评论 ⋅  2025-04-16 19:36
MaM发表深圳大学刘新科团队综述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技术
 评论 ⋅  2025-04-14 19:17
美国海关宣布对消费电子、服务器、半导体器件等20项商品豁免关税
 评论 ⋅  2025-04-14 17:30
中国科学院提出新型平面型面发光有机发光晶体管器件结构
 评论 ⋅  2025-04-11 16:23
英飞凌科技申请功率半导体器件相关专利，提升功率半导体器件性能
 评论 ⋅  2025-04-09 15:30
黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块专利，短路保护精度和效率更高
 评论 ⋅  2025-04-08 15:43
鲁晶半导体与山东大学共建碳化硅功率器件产学研合作新生态
 评论 ⋅  2025-04-07 15:28
中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展
 评论 ⋅  2025-04-03 09:53
闻泰科技：公司预计包括SiC、GaN和IGBT在内的高压功率器件和模拟芯片产品将从2025年底开始逐步放量
 评论 ⋅  2025-03-28 15:02
冠石科技显示器件募投项目结项，将向光掩膜版项目增资1.33亿元
 评论 ⋅  2025-03-24 16:53
国星光电：子公司风华芯电氮化镓器件实现量产并开始接单
 评论 ⋅  2025-03-21 15:01
上海光通信申请半导体结构相关专利，缩小半导体结构线宽提高器件密度
 评论 ⋅  2025-03-20 11:00
会议通知| 2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）将于5月22-24日在南京召开
 评论 ⋅  2025-03-20 08:15
中芯北方取得半导体器件及其形成方法专利
 评论 ⋅  2025-03-19 16:39
中国科学院联合纳米器件研究部在日盲紫外探测领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-03-19 14:09
清华大学化学系马冬昕团队开发出高效稳定的钙钛矿量子点深红光器件
 评论 ⋅  2025-03-19 11:34
中信证券：建议关注SiC器件领军厂商以及衬底环节的本土龙头
 评论 ⋅  2025-03-18 11:34
兰州大学研究团队在日盲光电探测器件方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
 评论 ⋅  2025-03-12 14:43
西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2025-03-11 16:31
广东芯赛威取得电源管理芯片及电路专利，可提高氮化镓器件在电源应用中的可靠性
 评论 ⋅  2025-03-11 15:59
先导科技半导体激光雷达及传感器件产业化项目预计10月竣工！
 评论 ⋅  2025-03-07 09:28
“2024年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选”获奖榜单重磅公布！
 评论 ⋅  2025-03-06 07:51
泰克科技张欣：新型功率器件的特性表征 |CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-05 14:18
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