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冠石科技显示
器件
募投项目结项,将向光掩膜版项目增资1.33亿元
国星光电:子公司风华芯电氮化镓
器件
实现量产并开始接单
上海光通信申请半导体结构相关专利,缩小半导体结构线宽提高
器件
密度
会议通知| 2025功率半导体
器件
与集成电路会议(CSPSD 2025)将于5月22-24日在南京召开
中芯北方取得半导体
器件
及其形成方法专利
中国科学院联合纳米
器件
研究部在日盲紫外探测领域取得新进展
清华大学化学系马冬昕团队开发出高效稳定的钙钛矿量子点深红光
器件
中信证券:建议关注SiC
器件
领军厂商以及衬底环节的本土龙头
兰州大学研究团队在日盲光电探测
器件
方面突破“RS困境” 实现高性能光电探测
西电张进成教授等在金刚石高压功率
器件
领域取得重要进展
广东芯赛威取得电源管理芯片及电路专利,可提高氮化镓
器件
在电源应用中的可靠性
先导科技半导体激光雷达及传感
器件
产业化项目预计10月竣工!
“2024年度华强电子网优质供应商&电子元
器件
行业优秀国产品牌评选”获奖榜单重磅公布!
泰克科技张欣:新型功率
器件
的特性表征 |CASICON重庆站
江苏芯旺电子科技取得MOSFET
器件
用制造加工装置专利,提高加工效率
报告前瞻| 阳光电动力万富翔:新一代功率
器件
并联技术在电驱系统的应用
CASA立项《HEMT功率
器件
用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准
厦门市三安集成电路有限公司取得氮化镓半导体
器件
专利,防水汽侵蚀能力较高
长飞先进半导体申请功率
器件
及相关专利,降低功耗
报告前瞻|湖南三安半导体许志维:SiC MOSFET
器件
技术之发展与挑战
紫光同芯“一种SGT
器件
及其制备方法”专利公布
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率
器件
中国首款高压抗辐射碳化硅功率
器件
研制成功 通过太空验证
中国太空科技新突破!首款高压抗辐射碳化硅功率
器件
研制成功并验证
杭州士兰微电子取得半导体
器件
专利,控制了栅漏电容
总投资10亿元,芯瓷科技半导体功率
器件
用DPC陶瓷基板项目投产
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表新型半导体薄膜电子
器件
研究成果
年产100万只高速光通信
器件
和模块项目正式启动厂房装修工程
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT
器件
及其制备方法”专利公布
世界首个采用6.5kV功率
器件
的柔性直流工程成功投运
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