首页 > 新闻资讯 > 搜索
CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊：新型多级沟槽氧化镓功率器件的研究
 评论 ⋅  2025-05-12 14:38
CSPSD 2025前瞻| 深圳大学刘新科：低成本GaN基GaN功率器件
 评论 ⋅  2025-05-12 11:54
CSPSD 2025前瞻| 西安电子科技大学赵胜雷：GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨
 评论 ⋅  2025-05-09 10:36
CSPSD 2025前瞻|西安电子科技大学宋庆文：高性能SiC功率器件关键技术研究进展
 评论 ⋅  2025-05-09 10:15
AI驱动产业创新，从材料/器件到EDA/设备的多维探索
 评论 ⋅  2025-05-09 09:26
CSPSD 2025前瞻|江南大学黄伟：高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究
 评论 ⋅  2025-05-08 16:26
江南大学成果推介:氮化镓微波功率器件
 评论 ⋅  2025-05-07 17:34
总投资超50亿元，中低压功率器件产业化（株洲）建设项目封顶
 评论 ⋅  2025-05-07 17:33
CSPSD 2025前瞻|南京大学周峰：氮化镓功率器件辐射效应与加固技术研究
 评论 ⋅  2025-05-07 15:19
CSPSD 2025前瞻|南京大学叶建东：氧化镓异质结构与器件
 评论 ⋅  2025-05-07 15:06
CSPSD 2025前瞻|爱发科王鹤鸣：面向功率器件制造的先进离子注入解决方案的集成工艺与创新
 评论 ⋅  2025-05-07 14:38
最新报告嘉宾公布！2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD2025）
 评论 ⋅  2025-05-07 10:31
CSPSD 2025前瞻|北京大学魏进：GaN功率器件动态电阻与动态阈值电压
 评论 ⋅  2025-05-07 10:04
中国科学院微电子所在碳硅三维异质集成器件上取得进展
 评论 ⋅  2025-05-07 09:19
CSPSD 2025前瞻|炽芯微电子朱正宇：功率器件封装技术的发展及展望
 评论 ⋅  2025-05-06 16:38
中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-06 09:32
CSPSD 2025前瞻|中国科学院微电子所黄森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件与集成
 评论 ⋅  2025-04-30 14:19
中国科学院半导体研究所光电子材料与器件全国重点实验室诚邀全球英才加盟
 评论 ⋅  2025-04-30 10:15
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:23
CSPSD 2025前瞻| 电子科技大学乔明：用于XPU供电的DrMOS器件发展趋势与技术挑战
 评论 ⋅  2025-04-29 15:10
瑶芯微申请沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法专利，降低器件动态损耗
 评论 ⋅  2025-04-22 11:01
国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
重庆万国半导体申请沟槽型功率半导体器件及其制备方法专利，提高开关速度与线性区能力
 评论 ⋅  2025-04-18 20:05
苏州晶湛半导体申请发光器件相关专利，提高了发光器件生产良率
 评论 ⋅  2025-04-18 18:58
三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-17 15:22
广东比亚迪节能科技申请MEMS器件及其封装方法专利，降低主体晶圆与衬底晶圆封装难度
 评论 ⋅  2025-04-16 19:36
MaM发表深圳大学刘新科团队综述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技术
 评论 ⋅  2025-04-14 19:17
美国海关宣布对消费电子、服务器、半导体器件等20项商品豁免关税
 评论 ⋅  2025-04-14 17:30
中国科学院提出新型平面型面发光有机发光晶体管器件结构
 评论 ⋅  2025-04-11 16:23
英飞凌科技申请功率半导体器件相关专利，提升功率半导体器件性能
 评论 ⋅  2025-04-09 15:30
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部