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泰克科技张欣：新型功率器件的特性表征 |CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-05 14:18
江苏芯旺电子科技取得MOSFET器件用制造加工装置专利，提高加工效率
 评论 ⋅  2025-02-26 17:17
报告前瞻| 阳光电动力万富翔：新一代功率器件并联技术在电驱系统的应用
 评论 ⋅  2025-02-26 16:18
CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准
 评论 ⋅  2025-02-26 11:00
厦门市三安集成电路有限公司取得氮化镓半导体器件专利，防水汽侵蚀能力较高
 评论 ⋅  2025-02-25 18:13
长飞先进半导体申请功率器件及相关专利，降低功耗
 评论 ⋅  2025-02-24 10:29
报告前瞻|湖南三安半导体许志维：SiC MOSFET器件技术之发展与挑战
 评论 ⋅  2025-02-19 15:03
紫光同芯“一种SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-14 10:31
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
 评论 ⋅  2025-02-05 10:42
中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 通过太空验证
 评论 ⋅  2025-01-22 10:39
中国太空科技新突破！首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功并验证
 评论 ⋅  2025-01-22 09:36
杭州士兰微电子取得半导体器件专利，控制了栅漏电容
 评论 ⋅  2025-01-21 10:11
总投资10亿元，芯瓷科技半导体功率器件用DPC陶瓷基板项目投产
 评论 ⋅  2025-01-20 17:26
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表新型半导体薄膜电子器件研究成果
 评论 ⋅  2025-01-20 09:32
年产100万只高速光通信器件和模块项目正式启动厂房装修工程
 评论 ⋅  2025-01-10 10:59
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-07 14:55
世界首个采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投运
 评论 ⋅  2025-01-06 19:07
基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-01-06 09:40
甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台正式投用
 评论 ⋅  2024-12-31 16:23
昌龙智芯半导体功率器件项目投资超5亿元
 评论 ⋅  2024-12-31 15:59
行业Top级厂商齐聚功率器件展区！CSE 2025等您来探！
 评论 ⋅  2024-12-27 19:41
功率半导体器件研发商中微创芯完成近亿元Pre-B轮融资
 评论 ⋅  2024-12-27 14:39
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/氧化镓异质结器件突破
 评论 ⋅  2024-12-26 14:22
广州华瑞升阳申请宽禁带半导体器件专利，降低宽禁带半导体器件导通损耗和栅介质层击穿风险
 评论 ⋅  2024-12-26 09:56
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-25 10:09
晶体材料及元器件厂商飞锐特完成数千万元A轮融资
 评论 ⋅  2024-12-24 13:52
北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 17:17
光迅科技高端光电子器件产业基地一期达产
 评论 ⋅  2024-12-20 11:14
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
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