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标准 |《UIS应力下GaN HEMT在线测试方法》发布
 评论 ⋅  2025-05-26 14:18
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-20 14:08
CSPSD 2025前瞻|上海大学任开琳：E型GaN HEMT和pFET的稳定性增强研究
 评论 ⋅  2025-05-19 11:02
科研成果| p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究
 评论 ⋅  2025-05-16 12:01
CSPSD 2025前瞻|南京大学陈敦军：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其载流子输运与调控
 评论 ⋅  2025-05-12 14:57
CSPSD 2025前瞻| 西安电子科技大学赵胜雷：GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨
 评论 ⋅  2025-05-09 10:36
CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜军：P-GaN HEMT栅极ESD鲁棒性及改进方法
 评论 ⋅  2025-05-08 09:40
中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-06 09:32
CSPSD 2025前瞻|中国科学院微电子所黄森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件与集成
 评论 ⋅  2025-04-30 14:19
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:23
国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
标准 | 《UIS应力下GaN HEMT在线测试方法》形成委员会草案
 评论 ⋅  2025-04-07 10:00
材料深一度｜一篇带你了解GaN HEMT最全产品情况
 评论 ⋅  2025-03-19 16:42
CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准
 评论 ⋅  2025-02-26 11:00
武汉大学联合中科大iGaN实验室与工信部电子五所在GaN基HEMTs的沟道温度监测研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-02-14 14:46
UIS应力下GaN HEMT在线测试方法征求意见
 评论 ⋅  2025-02-07 15:52
投资949亿韩元 Chemtronics将开始建设第8代OLED蚀刻工厂
 评论 ⋅  2024-10-30 17:25
中国科大微电子学院在GaN HEMT开关瞬态建模方向取得新进展
 评论 ⋅  2024-10-29 17:45
CASA立项GaN HEMT非钳位感性负载开关鲁棒性测试方法1项团体标准
 评论 ⋅  2024-08-08 16:23
标准 | 2项GaN HEMT动态导通电阻测试标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-07-26 11:01
新微半导体“一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-06-12 16:15
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-22 15:07
CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大学孙佳慧：肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的栅极抗静电鲁棒性
 评论 ⋅  2024-04-17 16:46
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-16 15:54
《用于零电压软开通电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》等两项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-04-07 19:21
扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-03-04 17:01
联合攻关成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功
 评论 ⋅  2024-01-24 17:49
北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利，提高GaN HEMT的动态稳定性
 评论 ⋅  2024-01-17 10:07
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