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IFWS 2021前瞻:中科院半导体研究所副所长张韵将出席射频电子器件与应用论坛
中科院
半导体研究所
副所长
张韵
亚毫米波段
GaN基
HEMT
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗:面向高可靠性、高能效应用的GaN
HEMT
增强型器件技术
【CASICON 2021】南京邮电大学张珺:基于人工神经网络的AlGaN/GaN
HEMT
反向特性表征技术
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和GaN
HEMT
在过压开关中的鲁棒性
【CASICON 2021】西交利物浦大学刘雯:硅基GaN MIS-
HEMT
单片集成技术
【CASICON 2021】中国电科首席科学家陈堂胜:低温键合金刚石GaN
HEMT
微波功率器件
CASICON 2021前瞻:面向高可靠性、高能效应用的GaN
HEMT
增强型器件技术
快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”,落地这一领域可每年省电40亿度
英飞凌
第三代半导体
器件
MOSFET
SiC
MOSFET
SiC模块
GaN
HEMT
IGBT
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇:硅基GaN增强型
HEMT
电力电子器件
中兴通讯蔡小龙:针对5G基站中射频氮化镓
HEMT
的失效分析研究
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