【CASICON 2021】西交利物浦大学刘雯:硅基GaN MIS-HEMT单片集成技术

日期:2021-09-16 来源:半导体产业网阅读:377
核心提示:西交利物浦大学副教授刘雯带来了关于通过 AlGaN/GaN MIS-HEMTs 技术实现全 GaN 智能电源 IC的主题报告,高温环境下的电力电子设备,电动汽车所需功率器件的工作温度 >200 ºC,需要具有良好的导热性。
9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
刘雯
会上,西交利物浦大学副教授刘雯带来了关于通过 AlGaN/GaN MIS-HEMTs 技术实现全 GaN 智能电源 IC的主题报告,高温环境下的电力电子设备,电动汽车所需功率器件的工作温度 >200 ºC,需要具有良好的导热性。
新图
 
报告从常关 GaN FET(增强模式),AlGaN/GaN MIS HEMT的结构(E 模式和 D 模式),用于电源转换器的全 GaN IC 片上系统 (SOC) 的现状,集成栅极驱动器的设计,具有集成栅极驱动器的同步 GaN 降压转换器等角度分享了研究项目的最新成果。

报告指出,硅基GaN异质结由于其水平结构,为单片集成电路提供了有利条件,具有面积小、寄生参数小、功率密度高、相对成本低等优势。硅基GaN上通过刻蚀凹槽后淀积栅介质得到的E-mode GaN MIS-HEMTs具有低漏电、高栅极电压容限等优点,同时D-mode器件的阈值电压可控。基于这些优点,可以在集成电路中减少保护电路部分,驱动设计更为简单,不同器件参数更加匹配,从而实现更紧凑的集成电路结构。我们通过使用MIS-HEMTs常关型和常开型器件(D-mode和E-mode),成功在同一芯片上进行集成,研究了All GaN PWM功率变换电路和同步/非同步DCDC转换电路。

 
嘉宾简介
刘雯博士2014年起就职于西交利物浦大学电气与电子工程系,在国际专业期刊发表论文20余篇,国际会议报告40余篇,申请发明专利10余项。目前研究兴趣包括:宽禁带半导体GaN/SiC电力电子器件及其单片集成、无线电能传输研究等。
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