近日，以“创芯生态 碳索未来”为主题的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，“氮化镓功率器件”专场上，西交利物浦大学王惟生带来了题为”使用E/D模式AlGaN/GaN的单片比较器用于高温应用的MIS-HEMT“的主题报告，GaN MIS-HEMTs、具有Vth调制的GaN比较器、高温下的单片GaN比较器、单片GaN MIS-HEMT锯齿波发生器、用于GaN智能电源IC的单片PWM电路、用于GaN智能电源IC的单片PWM电路、带栅极的单片集成DC-DC转换器驱动程序等角度分享了最新研究成果。报告指出，基于GaN MIS-HEMT集成平台，基本集成电路模块是在高温条件下制造和验证。
在 DCFL的基础上，制作单片GaN比较器，当差分对是D模式和E模式。D型负载对 Vth 调制的影响也是分析了。电路在高温下输出稳定，性能更佳与 Vth 调制。GaN MIS-HEMT 比较器电路展示了 IC 的灵活性和适用性。它们具有栅极驱动器、控制和保护模块应用的潜力。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
