第六届全国宽禁带半导体学术会议通知(第二轮)

日期:2025-06-30 阅读:1240
核心提示:第六届全国宽禁带半导体学术会议将于8月10日-13日在大连举办!

 会议通知

第六届全国宽禁带半导体学术会议

会议通知(第二轮)

会议时间:2025年8月10日-13日

会议地点:中国·大连

主办单位:

中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会

中国电子学会电子材料学分会

承办单位:

大连理工大学

东北师范大学

第三代半导体产业技术创新战略联盟

协办单位:

集成光电子全国重点实验室

宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室

国家第三代半导体技术创新中心(苏州)

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

一、会议简介

近年来,宽禁带半导体已成为国际半导体及材料领域研究和发展的热点,是全球高技术竞争战略制高点之一。宽禁带半导体在照明领域已经形成巨大规模的产业,并在功率电子、射频和光电子器件等领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展,促进产学研交流与协同创新,中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办全国宽禁带半导体学术会议,会议每两年一届,至今已成功举办了五届,已发展成为我国宽禁带半导体领域的行业盛会。

2025年,“全国宽禁带半导体学术会议”迎来了第六届,会议由大连理工大学、东北师范大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。届时,来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等,将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流,促进产学研用的交流合作。这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。

二、组织机构

名誉主席:甘子钊、王占国、郑有炓

顾问委员会(按姓氏首字母排序):褚君浩、杜国同、顾  瑛、关白玉、郝  跃、黄  如、贾明星、江风益、李爱珍、李晋闽、李树深、刘纪美、刘  明、刘  胜、罗  毅、申德振、孙祥桢、王立军、许宁生、杨德仁、叶志镇、俞大鹏、张国义、张  荣、张  跃、郑婉华

大会主席:刘益春

共同主席:沈  波、杨  辉、吴  玲

程序委员会

主  席: 徐  科

副主席:黎大兵、张源涛、朱嘉崎

委  员(按姓氏首字母排序):敖金平、蔡树军、陈长清、陈敦军、陈  弘、陈  敬、陈堂胜、陈万军、陈小龙、陈秀芳、程  凯、迟  楠、单崇新、丁琪超、董博宇、冯士维、冯志红、顾书林、贺东江、黄伯宁、黄  丰、黄  凯、康俊勇、赖占平、李国强、梁  建、刘  斌、刘国友、刘建平、刘木清、刘  榕、刘斯扬、刘新宇、刘  扬、龙世兵、陆  海、罗小蓉、马晓华、毛  维、欧  欣、潘  毅、裴  轶、彭俊彪、皮孝东、邱宇峰、盛  况、孙  钱、孙伟锋、孙小卫、孙晓娟、唐  宁、陶绪堂、万成安、万玉喜、汪  莱、王德君、王  钢、王宏兴、王建峰、王江波、王军喜、王来利、王  立、王新强、吴毅锋、肖国伟、徐海阳、徐士杰、徐现刚、许福军、薛玉雄、闫建昌、杨富华、叶建东、伊晓燕、于洪宇、云  峰、张保平、张  波、张国旗、张进成、张金风、张  龙、张乃千、张清纯、郑雪峰、张玉明、赵德刚、赵丽霞、郑晨焱

组织委员会

主  席: 梁红伟

副主席:陈志涛、阮军、张书明

委  员(按姓氏首字母排序):蔡端俊、曹峻松、陈  鹏、陈义强、陈志忠、程红娟、方  方、方文饶、房玉龙、和巍巍、黄少华、黄文海、耿  博、龚  政、郭  清、郭世平、郭  炜、郝茂盛、胡卫国、化梦媛、黄火林、黄  森、何晨光、贺致远、纪志坡、贾  锐、贾志泰、蒋  科、矫淑杰、江  灏、鞠光旭、孔月蝉、李炳生、李金钗、李述体、李忠辉、梁剑波、刘  超、刘军林、刘可为、刘  雯、刘新科、刘玉怀、刘召军、刘志强、刘宗亮、陆  敏、吕元杰、梅云辉、马剑钢、苗振林、母凤文、牛萍娟、潘尧波、齐红基、全知觉、任国强、赛青林、桑立雯、宋  波、孙海定、孙文红、孙永强、田朋飞、王光绪、王嘉铭、王茂俊、王  琦、王荣华、王鑫华、王英民、魏同波、汪炼成、吴  亮、吴嘉伟、吴雅苹、谢志国、徐明升、杨  霏、杨兰芳、杨  树、杨学林、殷  红、于彤军、张佰君、张  峰、张  辉、张纪才、张建立、张景文、张苇杭、张  嵩、张  雄、张宇昊、张  韵、张紫辉、赵璐冰、赵  维、周春华、周  弘、周  琦

大会秘书处

秘书长: 张振中 黄火林

副秘书长: 赵  红 张克雄 张赫之

成  员: 贾欣龙、马浩然、夏晓川、孙雨周、代建勋、柳阳、李鹏、王月飞、杨霖等

三、主要日程

主要日程

四、大会主题

绿色能源与智能时代的宽禁带半导体技术

五、会议征文方向:

1.材料生长(氮化物半导体、氧化物半导体、碳化硅、金刚石等)

2.材料物性和表征技术(光、电、磁、热性质、缺陷物理等)

3.光电子器件及其应用(LED、Micro-LED、LD、光电探测器等)

4.电子器件及其应用(射频电子器件、功率电子器件、传感器及集成电路等)

5.新型宽禁带材料与器件(超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等)

6.辐射及高能粒子探测器件

征文要求:

1.符合上述内容的论文摘要;

2.论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确、采用法定计量单位;

3.论文摘要须以WORD文档格式,包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸;

4.提交截止日前,以电子邮件方式(投稿邮箱: kxzhang@dlut.edu.cn、hez.zhang@dlut.edu.cn、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn)提交至会议组委会秘书组;相关模板可登录大会官网(http://www.wbsc.org.cn)或查询附件;

5.所有论文摘要均编入会议文集。

 

六、重要截止日期

1.论文摘要提交截止日:2025年4月30日延期至7月11日

2.报告录用通知截止日:2025年6月15日延期至7月15日

3.注册费优惠截止日:2025年7月10日

七、会议注册费

1.普通代表(A类票):

2800元(含会议文集、日程等会议资料及会议期间相关服务)

2.学生代表(B类票):

2300元(与普通代表会议待遇相同,但须提交相关证件)

3.7月10日前,报名缴费可享受优惠:

普通代表2500元;学生代表2000元。(享受上述相同待遇及服务)

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八、注册费缴费方式

1.通过银行汇款

开户行:中国工商银行北京市分行百万庄支行

账  号:0200001409014413573

名  称:中国有色金属学会

注:银行汇款请务必备注“宽禁带会议+参会代表姓名”

2.线上缴费,登录官网,

3.现场缴费(接受扫码、刷卡)

九、会议信息及联系人

1.会议官网:http://www.wbsc.org.cn

官网二维码

(会议详细信息请扫码关注大会官网)

2.会议酒店

大连香格里拉大酒店(大连市中山区人民路66号)

 

3.交通信息

交通信息

4.论文征集联系人

张克雄:15382208398;Email: kxzhang@dlut.edu.cn

张赫之:13478911634;Email: hez.zhang@dlut.edu.cn

张振中:18626668329;Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn

5.合作咨询

参会咨询:

芦老师:13601372457,E:lul@casmita.com

商务合作:

贾先生:18310277858,E:jiaxl@ casmita.com

张小姐:13681329411,E:zhangww@ casmita.com

参会代表财务咨询:

庞老师:15010359809

热烈欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位参会交流!

附件:

1、    第六届全国宽禁带半导体学术会议 第二轮通知.docx

2、   第六届全国宽禁带半导体学术会议投稿模板.doc

 

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