北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗

 据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法“，公开号CN117954476A，申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种多沟道GaN基HEMT器件及其制备方法，该器件包括自下而上依次层叠的衬底层、过渡层、高阻层，在高阻层上的沟道区多个沟道层和势垒层依次交叠形成多个并列沟道，顶端沟道层和顶端势垒层则覆盖包括沟道区在内的整个器件表面；栅源区和漏区分别位于沟道区的两端，源极、栅极、漏极两两之间由钝化层隔开。本发明的多个并联沟道设计可以降低耐高压GaN基HEMT导通电阻，进而降低损耗。这种多沟道结构可以广泛适用于基于pGaN帽层或MIS结构的增强型HEMT器件以及传统的耗尽型HEMT器件，可以优化耐压与导通的折中关系，有利于近一步提高现有器件的优值。