新微半导体“一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法”专利获授权

日期:2024-06-12 阅读:238
核心提示:天眼查显示,上海新微半导体有限公司近日取得一项名为一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法的专利,授权公告号为CN11338088

天眼查显示,上海新微半导体有限公司近日取得一项名为“一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法”的专利,授权公告号为CN113380884B,授权公告日为2024年6月4日,申请日为2021年6月8日。

本发明提供了一种HEMT器件的栅极、HEMT器件及其制备方法,所述HEMT器件的栅极包括:栅脚,所述栅脚位于HEMT器件的源极与漏极之间,所述栅脚至少是两排;栅帽,所述栅帽位于所述栅脚上方,并与所述栅脚连接。本发明提供的栅极包括至少两排栅脚,增加了栅极下方沟道内的电子散射路径,降低了电子能量,减少了热电子数量,抑制了热载流子效应,提高了HEMT器件的线性度。

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