IFWS 2023│博睿光电梁超：面向高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发
 评论 ⋅  2023-12-11 11:02
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
IFWS 2023│日本国立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
 评论 ⋅  2023-12-08 16:04
IFWS 2023│氮矽科技朱仁强：增强型功率氮化镓器件结构设计进展
 评论 ⋅  2023-12-08 15:49
IFWS 2023│南方科技大学于洪宇：Si基GaN器件及系统研究与产业前景
 评论 ⋅  2023-12-08 15:32
IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体
 评论 ⋅  2023-12-08 14:32
IDC预测2024年全球半导体市场八大预测
 评论 ⋅  2023-12-08 11:34
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
IFWS 2023│南京大学修向前：基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术
 评论 ⋅  2023-12-07 15:51
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟：助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-07 15:07
SSLCHINA2023│厦门大学黄凯：显示用Micro-LED芯片与集成技术新进展
 评论 ⋅  2023-12-07 14:33
SSLCHINA2023│芯颖显示谢相伟：Micro-LED显示关键技术突破
 评论 ⋅  2023-12-07 11:23
SSLCHINA2023│长虹电子陈宁:Micro LED新型投影显示技术展望
 评论 ⋅  2023-12-07 11:21
SSLCHINA2023│国星光电研究院赵龙：Micro LED显示技术及其产业化应用趋势
 评论 ⋅  2023-12-07 10:22
CASAS正式成立SiC/GaN功率器件与模块工作组
 评论 ⋅  2023-12-07 08:43
华测检测蔚思博金桥芯片实验基地正式开业
 评论 ⋅  2023-12-06 17:46
湖南大学物电院刘渊教授团队在小尺寸晶体管研究中取得新进展
 评论 ⋅  2023-12-06 17:10
SSLCHINA2023│华中科技大学罗小兵：高效高可靠量子点白光LED封装与热管理
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SSLCHINA2023│京东方曹占锋：玻璃基MLED 显示进展与挑战
 评论 ⋅  2023-12-06 15:06
SSLCHINA2023│三安光电何安和：Micro-LED微显示芯片技术发展与挑战
 评论 ⋅  2023-12-06 11:45
IFWS 2023│六方氮化硼研究进展
 评论 ⋅  2023-12-06 11:20
IFWS 2023│高通量方法辅助筛选和预测半导体界面结构——以β-Ga2O3 /AlN 界面为例
 评论 ⋅  2023-12-05 17:20
IFWS 2023│中国电子科技集团第四十六研究所孙杰：高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能
 评论 ⋅  2023-12-05 16:53
IFWS 2023│厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷研究，合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
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SSLCHINA2023│纳微朗科技闫春辉：低蓝害低碳康视康律全光谱半导体照明技术
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SiC半导体专家最新交流纪要
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SSLCHINA2023│苏州大学教授董建飞：超越昼夜节律调节 蓝光治疗感染和癌症综述
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芯导科技：IGBT产品部分型号已出样，处于认证阶段
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美国延迟补贴或将阻碍韩国半导体产业
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研究机构：2028年全球OLED发光材料市场将超24亿美元，中国占44%
 评论 ⋅  2023-12-05 14:08
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