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半导体所
等在砷化镓(GaAs)中产生自旋极化研究方面取得进展
中国科学院
半导体所
在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
中国科学院郑婉华院士团队
半导体所
有源光束扫描激光器研发取得进展
中国科学院
半导体所
在可调谐MEMS-VCSEL研究方面取得进展
半导体所
研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
半导体所
在2D/3D双模视觉处理芯片研制取得新进展
中国科学院
半导体所
伍绍腾:基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究
中国科学院
半导体所
荣获北京市自然科学奖一等奖
中国科学院
半导体所
高性能
钙钛矿
半导体
光电器件
载流子
2022年度
北京市自然科学奖
一等奖
IFWS 2023│中国科学院
半导体所
闫果果:6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
半导体所
在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展
CASICON西安前瞻| 中国科学院
半导体所
青年研究员梁锋:大功率GaN基蓝光激光器研究进展
中科院
半导体所
在硅基外延量子点激光器研究取得进展
半导体所
在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
半导体所
在氮化物材料外延研究中取得新进展
半导体所
成功研制一款极低电压低抖动低功耗频率综合器芯片
半导体所
在激子-声子的量子干涉研究中获进展
中国科学院
半导体所
“深紫外激光光致发光光谱仪”入选中国科学院自主研制科学仪器名录
半导体所
等研究团队合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展
半导体所
高效稳定钙钛矿太阳能电池研究获进展
中科院
半导体所
在硅基锗锡中红外探测器方面取得进展
中科院
半导体所
在氮化物材料生长界面研究方面取得新进展
中科院
半导体所
赵德刚团队研制出室温连续功率2W的GaN基大功率紫外激光器
中科院
半导体所
荧光型LED的OOK调制速率突破1Gbps
聚灿光电与中科院
半导体所
开发高性能高光功率氮化物
中科院
半导体所
张逸韵:基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究
祝贺中科院
半导体所
郑婉华、祝宁华两位研究员当选中国科学院院士
半导体所
4项科研成果入选国家“十三五”科技创新成就展
半导体所
等在半导体材料“异构外延”研究中获进展
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