美国商务部：任何规避对华限制的AI芯片都将被禁c
 评论 ⋅  2023-12-05 13:37
关于国家卓越工程师和国家卓越工程师团队拟表彰对象的公示
 评论 ⋅  2023-12-05 13:34
IFWS 2023│清软微视周继乐：化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术
 评论 ⋅  2023-12-04 15:13
专家共话第三代半导体发展
 评论 ⋅  2023-11-30 21:16
第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）厦门胜利闭幕
 评论 ⋅  2023-11-30 17:16
IFWS 2023│化合物半导体激光器与异质集成技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 11:35
IFWS 2023│碳化功率器件及封装技术分会新提升
 评论 ⋅  2023-11-30 11:22
IFWS 2023│追踪氮化镓功率电子器件技术新进展
 评论 ⋅  2023-11-30 09:05
IFWS 2023│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 08:35
《第三代半导体功率器件产业及标准化蓝皮书》发布
 评论 ⋅  2023-11-29 22:45
探讨“芯”发现，汇聚“芯”动能！聚焦这场第三代半导体论坛→
 评论 ⋅  2023-11-29 22:37
IFWS 2023│南京大学蔡青：AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器的优化设计及击穿机理研究
 评论 ⋅  2023-11-29 19:53
IFWS 2023│三安光电王俞授：大功率蓝绿激光器开发与应用
 评论 ⋅  2023-11-29 19:49
IFWS 2023│三安半导体技术总监叶念慈：产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能
 评论 ⋅  2023-11-29 19:45
IFWS 2023│中国电子科技集团第五十五研究所黄润华：750V SiC MOSFET元胞结构对器件特性的影响研究
 评论 ⋅  2023-11-29 19:43
SSLCHINA2023│Mini/Micro-LED技术产业应用论坛召开
 评论 ⋅  2023-11-29 16:57
SSLCHINA2023│破译光密码 光农业与生物技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-29 15:08
IFWS&SSLCHINA2023│华为数字能源技术有限公司CTO黄伯宁：从新型电力系统的发展看电力电子技术的挑战
 评论 ⋅  2023-11-29 13:07
IFWS&SSLCHINA2023│三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯：化合物半导体-下一个二十年
 评论 ⋅  2023-11-29 11:29
IFWS&SSLCHINA2023│香港科技大学教授陈敬：面向功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术
 评论 ⋅  2023-11-29 11:25
IFWS&SSLCHINA2023│中国科学院院士、厦门大学党委书记、教授张荣：宽禁带半导体的几个基础问题
 评论 ⋅  2023-11-29 10:52
IFWS&SSLCHINA2023│国际半导体照明联盟主席曹健林：照亮中国 照亮世界
 评论 ⋅  2023-11-29 10:25
IFWS&SSLCHINA 2023│英诺赛科欧洲总经理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本
 评论 ⋅  2023-11-29 09:39
第九届国际第三代半导体论坛&第二十届中国国际半导体照明论坛在厦门盛大开幕
 评论 ⋅  2023-11-28 20:51
SSLCHINA2023│美国伦斯勒理工学院Robert Karlicek：灯光雕刻-在灯光控制上突破极限
 评论 ⋅  2023-11-28 09:07
SSLCHINA2023│浙江大学李臻珍：彩色文本和背景组合对显示器阅读视觉舒适性的影响
 评论 ⋅  2023-11-28 09:05
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠：利用沟槽结构生长高效率InGaN红光
 评论 ⋅  2023-11-27 22:08
SSLCHINA2023│河北工业大学徐庶：量子点氧化物复合材料的制备及LED应用
 评论 ⋅  2023-11-27 21:48
SSLCHINA2023│北京工业大学郭伟玲：MicroLED的尺寸效应与高色彩转换效率
 评论 ⋅  2023-11-27 21:33
SSLCHINA2023│三安光电臧雅姝：固态紫外线（UVA/B/C）光源的现状和技术挑战
 评论 ⋅  2023-11-27 20:18
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