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SiC
新型
功率 MOS 器件结构以及栅驱动电路的设计与研究
九峰山实验室
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SiC Trench MOSFET科研级器件样品发布!
金融支持
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工业化!七部门重磅发文
安森美和舍弗勒扩大合作,推出基于EliteSiC的
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插电式混合动力汽车平台
Wolfspeed推出
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顶部散热(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二极管,优化热管理并节约能耗
晶合集成获得实用
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专利授权:“一种半导体芯片的测试装置”
沙特KAUST李晓航团队:STO
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制备工艺实现2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED
复旦大学研究人员等在
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半导体表界面结构与缺陷研究方面取得系列进展
工业和信息化部专题研究部署推动人工智能产业发展和赋能
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工业化
京东方第6代
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半导体显示器件生产线全面量产
CSPSD 2025前瞻|山东大学彭燕:基于金刚石/碳化硅
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异质散热结构的器件应用研究
CSPSD 2025前瞻|九峰山实验室袁俊:
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多级沟槽氧化镓功率器件的研究
英飞凌推出
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CoolSiC™ JFET技术,实现更加智能、快速的固态配电
Allegro MicroSystems 携
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XtremeSense™ TMR 电流传感器 亮相慕尼黑上海电子展
中国科学院提出
新型
平面型面发光有机发光晶体管器件结构
复旦大学褚君浩/王建禄/黄海课题组Nat. Commun.:基于势垒调控的
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紫外光电探测器
苏州无热芯阳半导体申请
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衬底及其氧化物半导体场效应晶体管专利
总投资30亿元!郑州惠科
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显示基地一期投产点亮
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手性有机半导体面世
中国广电完成首批5G RedCap
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应急广播终端技术试点
哈工大宋清海、陈怡沐教授团队研发
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手性光电材料为电致圆偏振光源提供新思路
泰克科技张欣:
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功率器件的特性表征 |CASICON重庆站
上海为49家创
新型
企业总部授牌 紫光展锐、韦尔半导体等10家集成电路企业入选
工信部等八部门联合印发《
新型
储能制造业高质量发展行动方案》
电子科技大学朱慧慧、刘奥教授在Nature Protocols上发表
新型
半导体薄膜电子器件研究成果
武汉市
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显示产业创新联合实验室启动
美国实验室研发
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激光技术,有望大幅提升芯片制造效率
基于
新型
SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
中国工程院院士彭寿:
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显示材料始终占据显示产业价值链高端
晶华新材拟10亿元投建年产4.8亿平方米
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胶粘材料项目
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