基于光响应聚合物的Micro-LED可编程巨量组装技术研究进展Research Progress of the Micro-LED Programmable Massive Assembly Technology Based on Photoresponsive Polymers龚政广东省科学院半导体研究所教授，新型显示团队负责人Gong ZhengProfessor of the Institute of Semiconductors, Guangdong Academy of Sciences, Head of the Frontier Display Technology Team

新型宽禁带压电半导体材料-Ga2O3及其在射频谐振器中的应用-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators王钢中山大学佛山研究院院长，中山大学半导体照明材料及器件国家地方联合工程实验室主任、教授WANG GangProfessor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor

用于蓝绿光Mini/Micro-LED生产的MOCVD新型装备Blue/Green Mini and Micro-LEDs Grown on Large Size Substrates for Advanced Display Applications陈耀中微公司MOCVD工艺总监Yao CHENDirector of MOCVD Process Technology，Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China

新型MO源及在第三代半导体中的应用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors杨敏江苏南大光电材料股份有限公司首席科学家

应用于新冠杀菌的毫秒级脉冲新型驱动电源New Millisecond-level Pulse Drive Power Applied to the Sterilization of COVID-19吴光敏--深圳市易光科技有限公司董事长WU Guangmin--Chairman of YG Power Supply Co.,ltd

新型电力系统与国家双碳战略New Power System and NationalDual-Carbon Strategy汤广福--中国工程院院士、全球能源互联网研究院院长TANG Guangfu--Academician of Chinese Academy of Engineering, President of Global Energy Interconnection Research Institute

《新型 Micro-LED 在显示与通信领域的应用》郭浩中 教授 台湾交通大学

《新型Al(Ga)N/GaN异质结外延材料研究》作者：李忠辉，彭大青，张东国，李传皓，杨乾坤，罗伟科，董逊，李亮单位：南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成电路国家级重点实验室

《基于宽禁带铝镓氮纳米线的新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者：汪丹浩，孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学微电子学院

《AlGaN基紫外发光和新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者：孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学

《新型GaN外延结构及其应用》作者：程凯单位：苏州晶湛半导体有限公司

来自台湾交通大学佘庆威教授，他在《可实现全彩微显示的新型微结构LED》报告中表示，我们研究了一种新型微结构Nano-Ring (NR) LED，首先通过改变NRLED的环壁厚度，可以实现发光波长从480nm蓝光到535nm绿光的变化，接着在蓝光NRLED上喷涂红色量子点材料进行色彩转换，即可在同一材料上实现RGB全彩微显示。

对于大多数固态照明技术，尤其是对于深紫外发光二极管（DUV-LED）而言，提高光提取效率（LEE）具有非常重要的意义。台湾交通大学

同济大学戴奇教授在SSLCHINA2017:光品质与光健康分会上做了主题为基于节律效应和视觉照度全新的设计照明空间报告。他表示，我们的生物钟和一天的时间是不完全一致的，所以我们是通过日光的光来进行协同、协调，如果没有这种每天的太阳光的照射，我们的生物钟......

丹麦科技大学教授欧海燕SiC白光发射主题报告；报告中指出，碳化硅（SiC）是宽间接带隙半导体，发光效率低。 但这种材料除了丰富之外，还具有非常独特的物理性能，如良好的导热性，高击穿电场等。 因此，研究其发光性能是非常有意义的，以便充分利用这种材料。 在这个演讲中，介绍两种方法，即通过施主-受主对掺杂SiC以及用制造多孔SiC的方法来制造发光的SiC。通过氮与硼共同重掺杂SiC，以证明有强烈的黄光发出。 之后，在优化钝化条件之后，多孔SiC发射强蓝绿色的光也被证明。当发黄光的共掺杂SiC和发蓝绿光的多孔Si

西安电子科技大学副教授郑雪峰介绍了新型AlGaN/GaN HEMT Fin结构的研究报告。

德国英戈尔施塔特应用技术大学Schmid MAXIMILIAN分享“新型瞬态热分析试验装置分析LED烧结界面质量”。他介绍说，在线可靠性分析，加速寿命测试或者现场测试在生产中变得越来越重要。因为器件失效与温度相关，结壳热阻是LED最重要的参数之一。常用的耐热测量方法是瞬态热分析（TTA）。但TTA非常耗时并且工作繁杂。讨论了TTA的改进。因此，开发并引入了新的测试设备。.....