功率半导体器件广泛应用于我国电力装备、航空航天等战略性科技领域，成为关系国家安全、国计民生与产业命脉的关键基础支撑。过去几十年里，半导体技术快速发展，芯片特性显著提升。大功率半导体器件是由多颗半导体裸芯片通过封装集成而形成，面临着封装特性提升较慢，无法匹配芯片特性等挑战。
近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。期间，“碳化功率器件及其封装技术”分会上，西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院院长、教授王来利做了“碳化硅功率半导体多芯片封装技术”的主题报告，分享了最新研究进展。
研究提出了磁耦合精确调控多芯片并联电热均衡方法，提出了控制磁场耦合度的多芯片电热应力调控方法，解决了多芯片不均衡性电热应力调控难题，为提高宽禁带器件容量与可靠性建立了基础。首次获得了碳化硅半导体在550℃高温的动静态特性，掌握了碳化硅极宽温度范围内关键特征参数变化规律，并基于高温器件实现了环境温度265℃的高温变换器。
嘉宾简介
王来利，教授、博导，西安交通大学工业自动化系党支部书记、主任，西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院院长，国家杰出青年科学基金获得者，入选国家高层次人才引进计划青年项目，陕西省高层次人才引进计划创新人才长期项目，陕西科技创新团队（带头人），小米青年学者，主要研究宽禁带半导体芯片、封装集成与电力电子变换器，承担国家级项目8项，其中重点项目3项，在重要期刊与国际会议上发表论文240余篇，获得本领域权威期刊与重要国际会议最佳/优秀论文奖10项，获得中国电工技术学会技术发明一等奖（第1完成人）、中国电源学会科技进步一等奖（第1完成人）、日内瓦国际发明金奖（第1完成人）、 陕西自然科学二等奖（第1完成人）、陕西省高等学校科学技术一等奖（第1完成人）、中国电源学会杰出青年奖、中国电工技术学会青年科技奖、中国电力优秀青年科技人才奖、陕西省青年科技奖、陕西省三秦青年科技创新之星等奖项，成果入选了2022年中国科协“科创中国”先导技术榜-电子信息领域。在8个国际国内学术组织分支机构担任主席（主任）、副主席（副主任）职务，在3个电力电子领域权威期刊担任副主编；组织国际国内重要会议10次，受邀在会议中做报告18次。
