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第三代半导体为什么这样火?4 张图秒懂GaN、
SiC
关键技术
晶盛机电拟募资57亿加码布局
SiC
、半导体设备
华微电子:公司正在积极布局以
SiC
和GaN为代表的第三代半导体器件技术
Wolfspeed 与致瞻科技采用
SiC
技术提升燃料电池汽车性能
零跑汽车计划赴港申请IPO?力争2023年量产800V
SiC
电控产品
零跑汽车
IPO
800V
SiC
电控产品
通用汽车与Wolfspeed达成战略供应商协议,在通用汽车未来电动汽车计划中采用
SiC
通用汽车
Wolfspeed
电动汽车
SiC
汽车电动化驱动
SiC
市场规模增长
先进连接胡博:基于
SiC
器件的低温银烧结方案
瞄准ASIC芯片,这两家公司签订1亿美元战略合作协议
英唐智控:
SiC
-MOSFET产品即将进入流片验证
【CASICON 2021】苏州能讯高能半导体Amagad Ali Hasan:基于物理的5G射频GaN晶体管模型、趋势和挑战
【CASICON 2021】复旦大学樊嘉杰:
SiC
功率器件先进封装材料及可靠性优化设计
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗:面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
【CASICON 2021】中电科十三所郭建超:金刚石微波功率器件研究
【CASICON 2021】苏州晶湛半导体向鹏:用于新型GaN功率器件的外延技术进展
【CASICON 2021】西安交通大学李强:大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究
【CASICON 2021】安徽芯塔电子科技倪炜江:高性能高压
SiC
器件设计与技术
【CASICON 2021】奥趋光电吴亮:AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
【CASICON 2021】中电科五十五所刘强:碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
【CASICON 2021】南京邮电大学张珺:基于人工神经网络的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技术
【CASICON 2021】厦门大学梅洋:氮化镓基VCSEL技术进展
【CASICON 2021】唐晶量子龚平:6 inch GaAs基VCSEL和射频外延技术
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:
SiC
MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:氧化镓功率器件制备与封装技术
【CASICON 2021】北京大学杨学林:Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
【CASICON 2021】南砂晶圆彭燕:碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究
【CASICON 2021】西交利物浦大学刘雯:硅基GaN MIS-HEMT单片集成技术
【CASICON 2021】南京航空航天大学张之梁:1kV宽禁带LLC变换器控制与应用
CASICON 2021:2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会最新看点
CASICON
2021
南京功率
射频半导体
技术市场
应用峰会
第三代半导体
氮化镓
碳化硅
【CASICON 2021】青岛聚能创芯刘海丰:面向快充应用的GaN材料和器件技术
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