【CASICON 2021】苏州能讯高能半导体Amagad Ali Hasan:基于物理的5G射频GaN晶体管模型、趋势和挑战

日期:2021-09-18     来源:半导体产业网    
核心提示:报告从基于物理的模型意义、物理模型的分类、GaN模型综述、建模挑战、温度和浓度模拟以及建模远景进行了详细介绍。
9月13-14日,“2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会(CASICON 2021)”在南京召开。本届峰会由半导体产业网、第三代半导体产业主办,并得到了南京大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导。
Amagad Ali Hasan
苏州能讯高能半导体有限公司Amagad Ali Hasan博士分享了《基于物理的5G射频GaN 晶体管模型、趋势和挑战》的主题报告,建模技术是连接器件制造和IC设计的重要节点,对整个IC系统产生影响。报告从基于物理的模型意义、物理模型的分类、GaN模型综述、建模挑战、温度和浓度模拟以及建模远景进行了详细介绍。


 
涉及到基于物理的紧凑模型、Angelov-GaN 模型、MVSG (MIT) 模型、ASM 模型等。基于物理的紧凑模型挑战涉及提高模型的可靠性和准确性、提高设计IC的可预测性、更深入地了解设备物理、将技术与设备响应相关联、研究相位和幅度互调等非线性过程、准确估计通道温度、具有非线性热导率的通道温度、通道温度计算的通用方法、通道温度计算的通用方法等。



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