先进连接胡博:基于SiC器件的低温银烧结方案

日期:2021-10-08 来源:半导体产业网阅读:278
核心提示:报告具体分享了纳米银膏技术发展(有压烧结、无压烧结、双峰纳米银颗粒、银颗粒与银片)、热压烧结应用场景、热压烧结材料性能、热压烧结材料可靠性研究、无压烧结材料应用场景、无压烧结材料性能、无压烧结材料可靠性研究、热压烧结设备等内容。
SiC和GaN作为第三代半导体材料的先锋,以其三大特性:开关频率高、禁带宽度大、导通电阻低,使得新一代通用电源在缩小容积以及提升充电速度方面都有了长足进步。
 
近日,由半导体产业网、第三代半导体产业(公号)、博闻创意会展(深圳)有限公司共同主办的“2021第三代半导体技术及充电产业合作论坛”在“ELEXCON深圳国际电子展暨嵌入式系统展”同期举行。
 胡博
会上,深圳市先进连接科技有限公司副总经理胡博带来了题为“基于SiC器件的低温银烧结方案”的主题报告,具体分享了纳米银膏技术发展(有压烧结、无压烧结、双峰纳米银颗粒、银颗粒与银片)、热压烧结应用场景、热压烧结材料性能、热压烧结材料可靠性研究、无压烧结材料应用场景、无压烧结材料性能、无压烧结材料可靠性研究、热压烧结设备等内容。
 

 
 
 
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