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南京大学庄喆：基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件
 评论 ⋅  2023-12-27 13:50
IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长
 评论 ⋅  2023-12-20 11:52
电科材料下属国盛公司第一枚碳化硅外延片正式下线
 评论 ⋅  2023-12-14 18:27
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
IFWS 2023│清软微视周继乐：化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术
 评论 ⋅  2023-12-04 15:13
IFWS 2023│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 08:35
IFWS 2023前瞻│碳化硅衬底、外延材料生长与加工分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-23 11:52
IFWS 2023前瞻│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2023-11-16 16:31
中电科南京外延材料产业基地投产运行，一期投资19.3亿元
 评论 ⋅  2023-11-13 17:20
性能位居前列！ 芯生代科技发布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化镓外延产品
 评论 ⋅  2023-11-13 10:33
中电化合物8英寸SiC外延片首批产品交付
 评论 ⋅  2023-11-02 17:08
中电化合物完成客户首批次8英寸SiC外延片产品交付
 评论 ⋅  2023-11-02 16:21
厦门大学张洪良和上海光机所齐红基团队在深紫外透明导电Si掺杂氧化镓异质外延薄膜研究取得进展
 评论 ⋅  2023-09-08 17:55
泰高技术与镓宏半导体一同致力于氮化镓外延片领域的全面战略推进
 评论 ⋅  2023-09-07 11:43
蔚来增持晶湛半导体，或加码氮化镓外延技术应用上车
 评论 ⋅  2023-08-31 16:01
王新强、李新征及合作者确定石墨烯上氮化物半导体单晶材料外延范式
 评论 ⋅  2023-08-25 14:05
纳芯微：逆势外延并购 加码汽车、泛能源类芯片战略布局
 评论 ⋅  2023-08-25 11:00
上海合晶IPO通过科创板上市委会议 为半导体硅外延片一体化制造商
 评论 ⋅  2023-08-17 11:38
厦门大学教授张洪良：氧化镓薄膜外延与电子结构研究
 评论 ⋅  2023-08-16 14:06
中镓半导体刘强：面向氮化镓同质外延功率/光电器件应用的氮化镓单晶衬底制备技术研发进展
 评论 ⋅  2023-08-02 10:10
晶盛机电：公司成功研发出具有国际先进水平的 8 英寸单片式碳化硅外延生长设备
 评论 ⋅  2023-07-14 08:53
CASICON西安站前瞻|西安电子科技大学教授宁静：宽禁带氮化物外延材料及集成器件
 评论 ⋅  2023-07-07 16:13
瀚天天成宣布开始量产 8 英寸SiC外延晶片，已签订1.92亿美元长单
 评论 ⋅  2023-07-06 18:54
中国电科48所发布最新研制的8英寸碳化硅外延设备
 评论 ⋅  2023-07-03 08:51
北大许福军、沈波团队在氮化物半导体大失配外延研究上取得突破性进展
 评论 ⋅  2023-06-27 09:39
中科院半导体所在硅基外延量子点激光器研究取得进展
 评论 ⋅  2023-06-26 11:53
半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-06-25 11:17
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学III族氮化物外延层薄膜宽禁带半导体
 评论 ⋅  2023-06-25 08:05
盛鑫半导体：大尺寸硅外延材料产业化项目实现首批设备入场
 评论 ⋅  2023-06-19 11:54
晶盛机电：碳化硅外延设备出货量位居国内前列
 评论 ⋅  2023-06-12 09:00
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