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新突破︱镓仁半导体成功制备VB法100毫米(010)面氧化镓单晶衬底
 评论 ⋅  2025-06-11 10:49
重磅发布 | 2项SiC单晶生长用等静压石墨标准正式发布
 评论 ⋅  2025-04-24 08:53
山东大学/晶镓半导体成功研发4英寸高质量GaN单晶衬底
 评论 ⋅  2025-04-18 12:02
投资3.9亿元，同光科技年产7万片碳化硅单晶衬底项目
 评论 ⋅  2025-04-17 16:56
广州南砂晶圆申请用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及应用专利，有效提高所制得碳化硅晶体的质量
 评论 ⋅  2025-04-17 11:44
天岳先进SiC单晶项目即将投产
 评论 ⋅  2025-04-08 18:54
总投资11亿元！磷化铟单晶衬底片项目签约落户江门
 评论 ⋅  2025-04-07 18:56
投资100亿！高温超导硅单晶设备及晶体生产项目开工！
 评论 ⋅  2025-03-25 18:21
西湖大学工学院孔玮团队提出β-Ga₂O₃ (100)面的单晶同质外延方法
 评论 ⋅  2025-03-11 14:46
全球首发! 杭州镓仁发布首颗8英寸氧化镓单晶，开启第四代半导体氧化镓新时代
 评论 ⋅  2025-03-05 16:44
镓仁半导体董事长张辉：大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展 | CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-04 16:48
征世科技成功研发30 mm×55 mm单晶金刚石散热片
 评论 ⋅  2025-02-24 17:44
新突破|镓仁半导体实现VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
 评论 ⋅  2025-02-13 10:51
同光半导体年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动
 评论 ⋅  2025-02-12 14:37
同光半导体年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动
 评论 ⋅  2025-02-12 12:06
镓仁半导体氧化镓单晶生长突破性成果在晶体领域顶刊Crystal Growth & Design上发表
 评论 ⋅  2025-02-11 09:20
一批半导体项目签约衢州 涉及氧化镓、氮化铝单晶衬底等
 评论 ⋅  2025-02-07 16:51
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)4英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2025-01-09 17:12
丰田合成开发出8英寸GaN单晶晶圆
 评论 ⋅  2025-01-09 15:56
河北同光半导体申请具有 p/n 结结构的碳化硅单晶柔性膜专利，实现碳化硅薄膜高效剥离且无损伤
 评论 ⋅  2024-12-27 14:54
浙江材孜科技取得碳化硅单晶生长装置专利，有利于生长空间的稳定性
 评论 ⋅  2024-12-24 16:04
中欣晶圆12英寸完美单晶下线
 评论 ⋅  2024-12-12 13:46
超芯星入驻江北新区集成电路基地，全面开启8英寸碳化硅单晶衬底量产
 评论 ⋅  2024-12-09 17:06
杭州镓仁半导体实现直拉法2英寸N型氧化镓单晶生长
 评论 ⋅  2024-11-29 09:51
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
1万伏！我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
 评论 ⋅  2024-11-05 09:24
上海汉虹申请一种单晶炉碳化硅炉专用KF40电动蝶阀专利
 评论 ⋅  2024-11-04 11:50
镓仁半导体：铸造法成功生长超厚6英寸氧化镓单晶！
 评论 ⋅  2024-10-29 19:59
标准 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨等2项技术标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-10-29 16:31
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2024-10-27 22:32
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