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北京理工大学团队在杂化范德华
外延
生长研究方向取得重要突破
晶钻科技同质
外延
单晶金刚石新突破
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件
外延
设计结构专利,降低功率器件制造成本
8英寸碳化硅垂直腔
外延
设备为什么这么热?
宁波晶钻同质
外延
单晶金刚石再次突破3.35英寸
香港首个第三代半导体氮化镓
外延
工艺研发中心将成立
西安电子科技大学GaN-on-Si/SOI
外延
片采购公开招标公告二次
西安电子科技大学GaN-on-Si/SOI
外延
片采购公开招标公告
科大立安中标安意法半导体8英寸碳化硅
外延
、芯片项目
CASICON晶体大会前瞻|才道精密仪器马观岚:SiC/GaN衬底和
外延
片检测设备国产化
CASICON晶体大会前瞻|中国电子科技集团第五十五研究所李赟:碳化硅
外延
如何协同器件发展
CASICON晶体大会前瞻|中国电科第十三研究所芦伟立:面向特种器件应用的SiC多层超厚
外延
进展及机遇
CASICON晶体大会前瞻 |北京大学教授沈波:AlN单晶衬底和
外延
薄膜的制备
安徽晶隆年产630万片含SiC
外延
材料项目封顶
安意法半导体8英寸碳化硅
外延
、芯片项目(生活服务设施区)全面封顶,8月将实现点亮投产
总投资55亿,晶隆半导体
外延
材料产业园EPC项目封顶
晶盛机电:在功率半导体领域,先后成功研发8英寸及12英寸常压硅
外延
生长设备并实现销售
CASICON晶体大会前瞻|山东华光:高功率半导体激光器核心
外延
材料及芯片研究进展
科学家提出倾斜台阶面
外延
生长菱方氮化硼单晶方法
总投资超14亿元,麦斯克电子年产360万片8英寸硅
外延
片项目封顶
能华半导体张家港制造中心(二期)项目动工,将新建6英寸GaN
外延
片产线
厦门大学团队在第四代半导体氧化镓材料
外延
和深紫外探测应用领域研究取得重要进展
成果推荐| 基于凹槽二次
外延
技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
百识电子完成A+轮融资,加速耐高压、大尺寸第三代半导体
外延
布局
晶盛机电:6英寸碳化硅
外延
设备实现批量销售且订单量快速增长
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物
外延
材料的制备方法专利,提高整个异质集成结构的热导率
北方华创:碳化硅
外延
设备已实现批量销售
南京盛鑫集成电路
外延
产业化项目一期全面建成
深圳第三代半导体材料产业园揭牌 重点布局6英寸碳化硅单晶衬底和
外延
生产线
投资近20亿元,两碳化硅
外延
项目环评公示
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