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  • 中科院长春光机所研究

    10870

    中科院长春光机所研究
    氮化物的范德华外延：基底结构、多性能控制和紫外光电器件应用Van der Waals Epitaxy of Nitrides: Substrate Construction, Multi-Properties Control and Ultraviolet Optoelectronic Device Application孙晓娟中科院长春光机所研究员SUN XiaojuanProfessor of Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences
    108700
    guansheng2023-05-19 14:58

  • 西安电子科技大学张金

    15630

    西安电子科技大学张金
    MPCVD法金刚石同质外延生长及MOS器件技术Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology张金风西安电子科技大学教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University
    156300
    guansheng2023-05-19 14:40

  • 湖北大学何云斌教授：

    11220

    湖北大学何云斌教授：
    MgO（100）上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大学教授HE YunbinProfessor of Hubei University
    112200
    guansheng2023-05-19 14:23

  • 沙特阿卜杜拉国王科技

    9860

    沙特阿卜杜拉国王科技
    面向柔性和垂直电子器件的外延氧化镓薄膜Epitaxial Ga2O3 thin film membrane for flexible and vertical electronics李晓航沙特阿卜杜拉国王科技大学副教授（陆义代讲）LI XiaohangAssociate Professor at King Abdullah University of ScienceTechnology
    98600
    guansheng2023-05-19 14:15

  • 江苏第三代半导体研究

    12380

    江苏第三代半导体研究
    高性能GaN-on-GaN材料与器件的外延生长High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王国斌江苏第三代半导体研究院研发部负责人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors
    123800
    guansheng2023-05-19 08:56

  • 武汉大学工业科学研究

    12120

    武汉大学工业科学研究
    无损表征氮化镓外延热物性的瞬态热反射技术Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武汉大学工业科学研究院研究员YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
    121200
    guansheng2023-05-19 08:53

  • 北京大学副教授许福军

    12140

    北京大学副教授许福军
    AlGaN基低维量子结构外延和电导率调控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures许福军北京大学物理学院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
    121400
    guansheng2023-05-19 08:51

  • 奥趋光电CTO王琦琨：P

    5390

    奥趋光电CTO王琦琨：P
    PVT法同质外延AlN生长和p型掺杂面临的挑战Challenges on homoepitaxial AlN growth and p-type doping by the PVT method王琦琨奥趋光电技术（杭州）有限公司研发总监（CTO）
    53900
    guansheng2023-05-19 08:43

  • 桑立雯：利用AlN传导

    6460

    桑立雯：利用AlN传导
    利用AlN传导层在GaN衬底上外延生长金刚石薄膜及其热传输特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本国立物质材料研究所独立研究员SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan
    64600
    guansheng2023-05-19 08:42

  • 中国科学院半导体所研

    6800

    中国科学院半导体所研
    平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
    68000
    guansheng2023-05-18 16:19

  • 北京大学沈波教授：氮

    17730

    北京大学沈波教授：氮
    以氮化镓、氮化铝为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底，氮化物半导体主要通过异质外延，特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈，影响了材料和器件性能的提升。沈波教授在报告中，结合氮化物半导体面临的大失配外延生长问题、详细分
    177300
    guansheng2022-09-09 15:47

  • 圆桌对话：MOCVD外延

    12350

    圆桌对话：MOCVD外延
    主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，中科院半导体所研究员赵德刚，中微半导体公司副总裁兼MOCVD产品事业部总经理郭世平，清华大学长聘副教授汪莱，中科院苏州纳米所研究员孙钱，南京大学教授陈鹏，中科院长春光机所研究员孙晓娟，南京大学教授陆海，江南大学教授敖金平，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，浙江大学研究员、电力电子技术研究所副所长杨树，中科院微电子研究所研究员黄森等学界、业界中青代骨干
    123500
    guansheng2022-09-08 15:55

  • 吉林大学焦腾：n型Ga2

    6470

    吉林大学焦腾：n型Ga2
    n型Ga2O3薄膜的MOCVD同质外延焦腾，陈威，李政达，刁肇悌，党新明，陈沛然，董鑫*吉林大学
    64700
    guansheng2022-09-01 16:21

  • 中山大学王钢：基于金

    5550

    中山大学王钢：基于金
    基于金属有机化学气相沉积的-Ga2O3薄膜异质外延及其在场效应晶体管中的应用王钢*，陈伟驱，罗浩勋，陈梓敏，卢星，裴艳丽中山大学
    55500
    guansheng2022-09-01 16:13

  • 厦门大学龙浩：氧空位

    5430

    厦门大学龙浩：氧空位
    氧空位在异质外延-Ga2O3薄膜MSM型光电探测器中的影响许锐，马晓翠，梅洋，应磊莹，张保平*，龙浩*厦门大学
    54300
    guansheng2022-09-01 16:08

  • 江苏第三代半导体研究

    5430

    江苏第三代半导体研究
    GaN基Micro-LED同质外延及其性能表征王国斌*，闫其昂，周溯沅，李增林，苏旭军，刘宗亮，王建峰，徐科江苏第三代半导体研究院有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司
    54300
    guansheng2022-09-01 11:36

  • 爱思强方子文：促进宽

    5940

    爱思强方子文：促进宽
    促进宽禁带半导体产业化的关键外延技术The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors方子文德国爱思强股份有限公司中国区副总经理FANG ZiwenDeputy General Manage，China AIXTRON SE
    59400
    limit2022-05-01 17:25

  • 沈波：高质量 AlN 单

    4950

    沈波：高质量 AlN 单
    《高质量 AlN 单晶衬底和外延薄膜的制备》沈波 教授 北京大学
    49500
    limit2022-01-11 17:23

  • 俞冬雷：高效P型掺杂

    980

    俞冬雷：高效P型掺杂
    《高效P型掺杂镁源特性及外延中应用优劣分析》作者：俞冬雷, 徐昕，王伟，李强强，王宏波，郑锐单位：安徽亚格盛电子新材料有限公司
    9800
    limit2022-01-10 10:57

  • 陈凯：基于MPCVD法异

    2080

    陈凯：基于MPCVD法异
    《基于MPCVD法异质外延生长金刚石膜的研究》作者：陈凯，胡文晓，叶煜聪，刘斌，陶涛，张荣单位：江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院，厦门大学
    20800
    limit2022-01-07 14:59

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