近日，Luceda China总经理曹如平博士做客半导体产业网芯友荟，分享了新时代趋势下，光电子集成电路设计领域的变化、机遇与挑战，以及Luceda的发展策略与思考。

47GHz-52GHz功率放大器芯片套片设计Design of 47GHz-52GHz Power Amplifier Chipset 杜鹏搏中国电科十三所正高级工程师、河北新华北集成电路有限公司副总经理DUPengboSenior Engineer of Hebei Semiconductor Institute, Deputy General Manager of Hebei New North China Integrated Circuit Co., Ltd

无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴贻钧中国科学院宁波材料技术与工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences

GaN半导体垂直腔面激光器的仿真设计与分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser张紫辉河北工业大学教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology

Critical aspects of deep-UV LED design and operation深紫外LED仿真设计及操作关键技术进展茅艳琳苏州思体尔软件科技有限公司技术支持工程师Yanlin MaoTechnical support engineer of SuZhou STR Software Technology Co., Led.

AlGaN基深紫外发光器件设计与仿真研究Design and simulation of AlGaN-based Deep Ultraviolet Emitters刘玉怀郑州大学电气与信息工程学院教授、科技部电子材料与系统国家级国际联合研究中心主任、河南省电子材料与系统国际联合实验室主任LIU YuhuaiProfessor and Director of National Center for International Joint Research of Electronic Materials and Systems, International Joint-Laboratory of Electronic Materials an

污水处理厂深紫外消毒设计及应用进展Design and application progress of DUV disinfection in sewage treatment plants杜军北控水务集团技术管理部水务经理Jon DUBeijing enterprise water group Limited

宽禁带半导体助推电动汽车进程Wide Bandgap Devices Empower Vehicle Electrification李道会--蔚来汽车功率半导体设计团队负责人、高级总监

Ga2O3三元合金设计及其日盲紫外光电探测器研究王其乐，瞿秋琳，陈剑，黎明锴，卢寅梅，何云斌*湖北大学

UV反应器设计和运行可靠性保障UV Reactor Design and Operation Reliability Guarantee李梦凯--中国科学院生态环境研究中心副研究员LI Mengkai--Associate Professor of Ecological Environment Research Center, CAS

大功率 GaN 蓝绿激光器芯片设计、生长和制作 林科闯 总经理 三安光电股份有限公司

《AlGaN基紫外LED材料和量子结构设计研究进展》作者：闫建昌，郭亚楠，刘志彬，王军喜，李晋闽单位：中国科学院半导体研究所，中国科学院大学

《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者：刘延聪，唐冠南，汤晓燕，袁昊，宋庆文，张玉明单位：西安电子科技大学，中国人民解放军空军工程大学

本期嘉宾中国科学院生态环境研究中心副研究员李梦凯博士为大家分享《紫外反应器设计要点简述 紫外线消毒手册（9章）》

特阿卜杜拉国王科技大学的Kazuhiro OHKAWA教授介绍了《AlGaN 材料MOCVD生长优化和反应器设计》研究报告。报告中，在较宽的压力、Al /（Ga + Al）比例和温度范围内成功仿真AlGaN生长。考虑到适量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生长速率和组分与实验中的非常一致。这一技术使我们有可能优化氮化物MOCVD并设计升级反应器。

中微半导体设备（上海）有限公司副总裁MOCVD产品事业部总经理郭世平带来了《氮化物深紫外LED生产型MOCVD机台设计及外延生长的挑

封装可靠性的评估是非常重要的环节，会上香港科技大学陶勉做了题为用于封装可靠性评估的热机测试芯片的设计与制备的报告。

中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员董建飞分享《用于刺激细胞的LED灯的设计》报告。他表示，人体细胞如何响应LED光的刺

湖北深紫科技有限公司市场技术总监陈景文分享《深紫外UVC-LED杀菌方案深度设计》。

杭州慧亿科技有限公司研发中心负责人孟楠分享《UVC LED杀菌模组的优化设计与验证》。