中科院宁波材料所戴贻钧:无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化

视频IFWS > IFWS20222024-01-24 16:23
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无等离子体损伤GaN HEMT极化隔离的设计与优化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴贻钧中国科学院宁波材料技术与工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences
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