• 南京大学教授陆海:第
    第三代半导体紫外探测技术与产业化应用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陆 海--南京大学教授,镓敏光电董事长LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.
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    limit2022-02-01 17:38
  • 艾迈斯欧司朗技术应用
    UVC LED的技术发展及其创新应用Technical Development and Innovative Application of UVC LED迟光伟--艾迈斯欧司朗技术应用经理CHI GuangweiTechnical Application Manager, ams Osram
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    limit2022-02-01 15:32
  • 安吉尔集团中央研究院
    UVC-LED在净饮水市场的应用现状以及亟需解决的技术问题The Application Status of UVC-LED in the Water Purification Market and the Technical Problems Awaiting Solutions张建芳--安吉尔集团中央研究院副院长ZHANG JianfangDeputy Director of Angel Group Central Research Institute
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    limit2022-02-01 14:41
  • 京东方首席科学家袁广
    未来显示技术的发展方向Display Technology Development and Technical Challenges袁广才--京东方科技集团显示与传感器件研究院院长、半导体技术首席科学家YUAN Guangcai--President and Chief scientist of DisplaySensor Research Institute of BOE
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    limit2022-01-31 13:53
  • 黄火林:GaN基增强型H
    《GaN基增强型HEMT器件关键技术》作者:黄火林单位:大连理工大学光电工程与仪器科学学院
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    limit2022-01-10 11:07
  • 梅洋:GaN基VCSEL技术
    《GaN基VCSEL技术进展》作者:梅洋,许荣彬,应磊莹,龙浩,郑志威,张保平单位:厦门大学电子科学与技术学院
    12100
    limit2022-01-10 10:40
  • 吴挺竹:利用ALD技术
    《利用ALD技术改善mini-LED的光电与通信性能》作者:卢霆威,赖寿强,潘建华,陈金兰,黄岳,叶方顺,郭浩中,陈忠,吴挺竹 单位:厦门大学电子科学系,台湾阳明交通大学光电工程学系
    7100
    limit2022-01-10 10:28
  • 吴帆正树:碳化硅沟槽
    《碳化硅沟槽刻蚀技术研究进展》作者:吴帆正树,张清纯,马宏平,张洁,侯欣蓝,张园览单位:复旦大学工程与应用技术研究院超越照明研究所
    6500
    limit2022-01-07 13:30
  • 梅洋:GaN基VCSEL技术
    《GaN基VCSEL技术进展》作者:梅洋,郑重明,许荣彬,应磊莹,龙浩,郑志威,张保平单位:厦门大学微电子与集成电路系微纳光电子研究室
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    limit2022-01-06 10:43
  • 袁昊:万伏级4H-SiC基
    《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者:刘延聪,唐冠南,汤晓燕,袁昊,宋庆文,张玉明单位:西安电子科技大学,中国人民解放军空军工程大学
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    limit2022-01-05 17:00
  • 陈荔:基于高温热退火
    《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者:陈荔,郭炜,林伟,陈航洋,康俊勇,叶继春单位:中国科学院宁波
    21500
    limit2022-01-05 11:02
  • 视频报告 2017 |西安
    极智报告|西安特锐德智能充电科技有限公司总工程师王利强 :电动汽车充电技术发展及SiC应用。更多专业学术报告,请点击页面顶端下载极智头条APP,海量报告,免费看!
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    limit2021-04-29 12:39
  • 视频报告 2017-- 英
    英国IQE plc.集团副总裁兼电力事业部门负责Wayne JOHNSON 带来了先进技术的分享,作为半导体晶圆产品和经营服务供应商,IQE的光电产品主要包括VCSEL、边射型激光器、发光二极管(LED)、超高亮度发光二极管 (UHB LED)等,今年更是因为苹果VCSEL激光器
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    limit2021-04-29 12:38
  • 视频报告 2018--美国
    2018年10月23日下午,第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题,吸引了来自海内外半导体照明,第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与,共同论道产业发展。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、深圳市龙
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    limit2021-04-29 12:37
  • 【视频报告 2018】厦
    厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说,显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术,获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。
    147800
    limit2021-04-29 12:28
  • 【视频报告 2018】德
    广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌介绍了《Micro 和 Mini LED 焊接技术》主题报告。
    25800
    limit2021-04-29 12:27
  • 【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅(SiC)等材料的晶体生长过程。今天,SiC是通过气相或液相法生长的,它包括下列过程:反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告,报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:25
  • 【视频报告 2018】维
    美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE分享了《Micro-LED显示屏:关键制造挑战和MOCVD技术》报告。他介绍到,微型LED显示屏比其他显示技术,如背光LED显示屏、OLED显示屏和等离子显示屏,具有更高的亮度、更高的功率效率,而且更加坚固柔韧。然而,微型LED显示屏的缺点之一是制作复杂,这导致了较高的显示成本。在严格坚持目标成本的同时,微型LED显示屏优秀性能和良率为其制造带来了许多挑战。报告中提出,从外延和LE
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    limit2021-04-29 12:24
  • 【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(fT/fmax=61GHz/130GHz)》主题报告。他介绍说,在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件,采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件,其阈值电压达到0.6V,饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ,峰值跨导达到412mS/mm,电流截止频率达到61GHz,最大
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【视频报告 2018】河
    河北半导体研究所高级工程师的李静强分享了《GaN 内匹配封装器件仿真技术研究》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:20
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