• 爱思强方子文:促进宽
    促进宽禁带半导体产业化的关键外延技术The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors方子文德国爱思强股份有限公司中国区副总经理FANG ZiwenDeputy General Manage,China AIXTRON SE
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    limit2022-05-01 17:25
  • 启迪半导体研发总监钮
    第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization钮应喜芜湖启迪半导体有限公司研发总监NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
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    limit2022-05-01 17:19
  • 大连理工大学教授王德
    SiC MOS器件氧化后退火新途径低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大连理工大学教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology
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    limit2022-05-01 10:00
  • 南京大学教授陆海:第
    第三代半导体紫外探测技术与产业化应用Wide Bandgap Semiconductor Ultraviolet Detection Technology and Industrial Application陆 海--南京大学教授,镓敏光电董事长LU Hai--Professor of Nanjing University, President of GaNo Optoelectronics Inc.
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    limit2022-02-01 17:38
  • 艾迈斯欧司朗技术应用
    UVC LED的技术发展及其创新应用Technical Development and Innovative Application of UVC LED迟光伟--艾迈斯欧司朗技术应用经理CHI GuangweiTechnical Application Manager, ams Osram
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    limit2022-02-01 15:32
  • 安吉尔集团中央研究院
    UVC-LED在净饮水市场的应用现状以及亟需解决的技术问题The Application Status of UVC-LED in the Water Purification Market and the Technical Problems Awaiting Solutions张建芳--安吉尔集团中央研究院副院长ZHANG JianfangDeputy Director of Angel Group Central Research Institute
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    limit2022-02-01 14:41
  • 京东方首席科学家袁广
    未来显示技术的发展方向Display Technology Development and Technical Challenges袁广才--京东方科技集团显示与传感器件研究院院长、半导体技术首席科学家YUAN Guangcai--President and Chief scientist of DisplaySensor Research Institute of BOE
    88100
    limit2022-01-31 13:53
  • 黄火林:GaN基增强型H
    《GaN基增强型HEMT器件关键技术》作者:黄火林单位:大连理工大学光电工程与仪器科学学院
    12300
    limit2022-01-10 11:07
  • 梅洋:GaN基VCSEL技术
    《GaN基VCSEL技术进展》作者:梅洋,许荣彬,应磊莹,龙浩,郑志威,张保平单位:厦门大学电子科学与技术学院
    12100
    limit2022-01-10 10:40
  • 吴挺竹:利用ALD技术
    《利用ALD技术改善mini-LED的光电与通信性能》作者:卢霆威,赖寿强,潘建华,陈金兰,黄岳,叶方顺,郭浩中,陈忠,吴挺竹 单位:厦门大学电子科学系,台湾阳明交通大学光电工程学系
    7200
    limit2022-01-10 10:28
  • 吴帆正树:碳化硅沟槽
    《碳化硅沟槽刻蚀技术研究进展》作者:吴帆正树,张清纯,马宏平,张洁,侯欣蓝,张园览单位:复旦大学工程与应用技术研究院超越照明研究所
    6800
    limit2022-01-07 13:30
  • 梅洋:GaN基VCSEL技术
    《GaN基VCSEL技术进展》作者:梅洋,郑重明,许荣彬,应磊莹,龙浩,郑志威,张保平单位:厦门大学微电子与集成电路系微纳光电子研究室
    13600
    limit2022-01-06 10:43
  • 袁昊:万伏级4H-SiC基
    《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者:刘延聪,唐冠南,汤晓燕,袁昊,宋庆文,张玉明单位:西安电子科技大学,中国人民解放军空军工程大学
    21500
    limit2022-01-05 17:00
  • 陈荔:基于高温热退火
    《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者:陈荔,郭炜,林伟,陈航洋,康俊勇,叶继春单位:中国科学院宁波
    21500
    limit2022-01-05 11:02
  • 视频报告 2017 |西安
    极智报告|西安特锐德智能充电科技有限公司总工程师王利强 :电动汽车充电技术发展及SiC应用。更多专业学术报告,请点击页面顶端下载极智头条APP,海量报告,免费看!
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    limit2021-04-29 12:39
  • 视频报告 2017-- 英
    英国IQE plc.集团副总裁兼电力事业部门负责Wayne JOHNSON 带来了先进技术的分享,作为半导体晶圆产品和经营服务供应商,IQE的光电产品主要包括VCSEL、边射型激光器、发光二极管(LED)、超高亮度发光二极管 (UHB LED)等,今年更是因为苹果VCSEL激光器
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    limit2021-04-29 12:38
  • 视频报告 2018--美国
    2018年10月23日下午,第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题,吸引了来自海内外半导体照明,第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与,共同论道产业发展。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、深圳市龙
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    limit2021-04-29 12:37
  • 【视频报告 2018】厦
    厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说,显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术,获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【视频报告 2018】德
    广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌介绍了《Micro 和 Mini LED 焊接技术》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅(SiC)等材料的晶体生长过程。今天,SiC是通过气相或液相法生长的,它包括下列过程:反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告,报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:25
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