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2025云南晶体大会前瞻| 富加镓业陈端阳：氧化镓单晶衬底及外延技术研发进展
 评论 ⋅  2025-09-12 11:37
2025云南晶体大会前瞻|西安电子科技大学陶鸿昌：氧化镓异质外延成核调控及肖特基二极管（SBD）势垒均匀性研究
 评论 ⋅  2025-09-11 11:48
2025云南晶体大会前瞻|厦门大学卢卫芳：GaN/InGaN基核-壳纳米结构选区外延及其Micro-LED器件制备研究
 评论 ⋅  2025-09-11 11:45
2025云南晶体大会前瞻|中电科第四十八研究所谢添乐：宽禁带化合物半导体外延关键装备解决方案
 评论 ⋅  2025-09-10 15:51
2025云南晶体大会前瞻|云南大学杨杰：III-V族和IV族半导体晶片及其外延材料的缺陷溯源分析
 评论 ⋅  2025-09-10 15:34
2025云南晶体大会前瞻|天科合达刘春俊：大尺寸碳化硅衬底和外延产业进展
 评论 ⋅  2025-09-10 15:17
Science Advances：南京大学联合团队突破外延衬底限制，实现非晶衬底上高质量半导体薄膜外延生长
 评论 ⋅  2025-09-08 09:53
2025云南晶体大会前瞻|中国科学院半导体研究所杨晓光：硅基III-V族材料外延及异质集成研究进展
 评论 ⋅  2025-09-03 15:10
标准 | 《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》发布
 评论 ⋅  2025-08-29 13:56
自主突破，九峰山实验室首发6英寸InP激光器与探测器外延工艺
 评论 ⋅  2025-08-19 09:36
国际首发！深圳平湖实验室研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延
 评论 ⋅  2025-08-07 18:12
48所深耕化合物半导体领域，持续扩大外延设备应用领域
 评论 ⋅  2025-07-31 15:56
Science Advances：南京大学联合团队突破外延衬底限制，实现非晶衬底上高质量半导体薄膜外延生长
 评论 ⋅  2025-07-30 12:11
广州粤升8英寸SiC外延设备完成研发并出货
 评论 ⋅  2025-07-29 15:59
天域半导体再战港交所：中国碳化硅外延片龙头客户集中度超75%，华为比亚迪已入股
 评论 ⋅  2025-07-23 16:38
氮化镓外延层中位错辅助的电子和空穴传输研究取得进展
 评论 ⋅  2025-07-23 10:15
标准/“GaN HEMT开关可靠性试验、功率器件用硅衬底GaN外延片”2项标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2025-07-21 14:30
中科院微电子所黄森、刘新宇团队在GaN外延位错传导载流子及其导致功率电子器件可靠性退化机制方面取得重要进展
 评论 ⋅  2025-07-18 10:24
纳设智能全自动双腔8英寸碳化硅外延设备交付！
 评论 ⋅  2025-07-09 19:56
武大、西电合作攻克范德华外延氮化镓高质量成核与生长难题，为跨材料、跨功能的宽禁带半导体异构集成扫清了关键障碍
 评论 ⋅  2025-07-08 17:34
外延设备新高度！北方华创化合物外延设备引领市场热潮
 评论 ⋅  2025-07-01 11:55
国产突破！无锡先为科技首台GaN MOCVD外延设备成功发货
 评论 ⋅  2025-06-18 08:19
晶盛机电旗下求是创芯12英寸常压硅外延设备顺利交付
 评论 ⋅  2025-06-17 15:30
富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高
 评论 ⋅  2025-06-09 08:11
上海合晶：正推进12英寸55纳米CIS外延片量产
 评论 ⋅  2025-06-06 08:00
上海合晶正推进12英寸55纳米CIS外延片量产
 评论 ⋅  2025-06-05 17:33
广州拓诺稀科技氧化镓外延项目即将投产
 评论 ⋅  2025-05-28 09:41
CSPSD 2025前瞻|西安理工大学贺小敏：氧化镓异质外延生长及材料特性研究
 评论 ⋅  2025-05-21 18:38
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-20 14:08
华润微电子：润新微电子外延生产基地建成
 评论 ⋅  2025-05-19 07:40
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