首页 > 新闻资讯 > 搜索
富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高
 评论 ⋅  2025-06-09 08:11
上海合晶：正推进12英寸55纳米CIS外延片量产
 评论 ⋅  2025-06-06 08:00
上海合晶正推进12英寸55纳米CIS外延片量产
 评论 ⋅  2025-06-05 17:33
广州拓诺稀科技氧化镓外延项目即将投产
 评论 ⋅  2025-05-28 09:41
CSPSD 2025前瞻|西安理工大学贺小敏：氧化镓异质外延生长及材料特性研究
 评论 ⋅  2025-05-21 18:38
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-20 14:08
华润微电子：润新微电子外延生产基地建成
 评论 ⋅  2025-05-19 07:40
意见征集 | 北大光电院牵头的异质外延氮化镓外延层厚度测试方法标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-07 11:32
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:23
瀚天天成申请降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷专利，可提高碳化硅外延片质量
 评论 ⋅  2025-04-11 16:30
碳化硅外延供应商瀚天天成冲刺港交所
 评论 ⋅  2025-04-09 14:51
晶湛半导体发布第二代Full Color GaN®全彩系列外延片，携ZDP™平台助力AR眼镜商业化进程
 评论 ⋅  2025-04-08 20:39
采用金属有机化学气相沉积原位脉冲铝原子辅助法生长的（001）β-Ga2O3外延层
 评论 ⋅  2025-03-28 16:11
助力科技中国战略！盖泽参编的《埋层硅外延片》GB国家标准正式实施
 评论 ⋅  2025-03-13 07:39
西湖大学工学院孔玮团队提出β-Ga₂O₃ (100)面的单晶同质外延方法
 评论 ⋅  2025-03-11 14:46
瀚天天成8英寸碳化硅外延晶片厂房建设完成，设备购置将在3月收官
 评论 ⋅  2025-03-10 14:54
CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准
 评论 ⋅  2025-02-26 11:00
总投资12.3亿元，立昂微年产96万片12英寸硅外延片项目落地
 评论 ⋅  2025-02-24 14:42
新微半导体“垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法”专利公布
 评论 ⋅  2025-02-19 11:45
总投资12.3亿，立昂微年产96万片12英寸硅外延片生产项目落户
 评论 ⋅  2025-02-19 10:20
突破！国产SiC外延设备首次大规模发货！
 评论 ⋅  2025-02-11 09:15
北大杨学林、沈波团队在氮化镓外延材料中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展
 评论 ⋅  2025-02-07 08:44
中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED显示器的远程外延晶体钙钛矿
 评论 ⋅  2025-01-23 14:22
全磊光电化合物半导体外延片/芯片研发及产业化项目开工
 评论 ⋅  2025-01-14 14:58
全磊光电化合物半导体外延片/芯片研发及产业化项目开工
 评论 ⋅  2025-01-14 08:16
《异质外延氮化镓外延层厚度测试 白光干涉法》CSA团体标准第一次讨论会召开
 评论 ⋅  2025-01-08 14:31
天域半导体取得水平气流SiC外延设备石英钟罩内壁清洁工具专利，能够保证石英钟罩的清洁效果符合炉膛反应需求
 评论 ⋅  2025-01-03 10:45
成都士兰半导体申请半导体外延结构及其制备方法专利，降低外延自掺杂效应
 评论 ⋅  2024-12-27 15:49
北京智慧能源研究院SiC外延片公开招标采购项目公开招标公告
 评论 ⋅  2024-12-26 16:44
唐晶量子化合物半导体外延片研发和生产项目竣工投产
 评论 ⋅  2024-12-23 16:36
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部