富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高

日期:2025-06-09 阅读:553
核心提示:经国家权威检测机构——中国计量科学研究院测试表明,厚度超10μm的氧化镓同质外延片载流子浓度为4.2E16cm-3,迁移率达到181.6cm2/V·s。

 近日,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称:富加镓业)在氧化镓MOCVD同质外延技术方面再次取得突破,经国家权威检测机构——中国计量科学研究院测试表明,厚度超10μm的氧化镓同质外延片载流子浓度为4.2E16cm-3,迁移率达到181.6cm2/V·s。基于MOCVD技术的高质量氧化镓同质外延片的研制成功,将有效助力氧化镓高压大功率电力电子器件产业的快速落地。

2025年3月,富加镓业基于自主生产的氧化镓衬底产品,利用MOCVD技术,已经实现了10μm以上厚度的氧化镓同质外延片迁移率达到172.7 cm2/V·s技术重大突破(富加镓业氧化镓MOCVD同质外延技术取得突破,助力下游垂直功率电子器件产业落地);在此基础上,研究人员进一步优化了MOCVD外延过程中背景杂质控制,精确调控掺杂浓度,提升氧化镓同质外延薄膜质量。相关标准化外延产品(规格书如下)已于2025年6月同步上市,更好服务于氧化镓器件厂家及下游用户。

杭州富加镓业科技有限公司成立于 2019年 12 月 31 日,是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技〞企业,公司以“让世界用上好材料”为愿景,开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作,核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD外延片、MBE外延片、氧化镓晶体生长及加工装备,产品主要服务于功率器件、微波射频及光电探测等领域。2022年获得浙江省科技型中小企业;2023年获得国家高新技术企业;2024年获得杭州市企业高新技术研发中心及浙江省专精特新中小企业;2025年获得ISO9001质量体系认证(编号:20225Q20294R0M);在氧化镓领域,承担了国家发改委项目1项,国家工信部项目1项,参与了国家自然科学基金委、浙江省、上海市等国家及省部级项目3项。另外,获得国际专利授权12项(美国6项,日本6项),国内专利授权40项,“富加镓业”商标认证注册3项,软件著作权(“一键长晶”控制软件)4项。

 
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