据香港科技大学快讯报道，近日，由香港科技大学霍英东研究院与香港科技大学（广州）联合孵化的“拓诺稀科技”迎来里程碑时刻——其位于南沙的首个先进生产厂房正式启用！该厂房配备高标准洁净室设施和完善的生产研发配套，具备批量化外延制备能力，实现 “从实验室走向产业”，为大规模推进氧化镓外延产品走向市场奠定了坚实基础。
拓诺稀科技生产厂房位于粤港澳大湾区“黄金内湾”广州南沙，占地约500平方米，集研发、测试、制造、工艺支持于一体。设有MOCVD工艺区和离子注入室、专用的气体储存间、固废处理间，全面保障高科技产品制造的稳定与安全。
氧化镓（Ga₂O₃）作为一种具有超宽禁带的半导体材料，在高压功率电子、射频通讯、光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。由香港科技大学（广州）陈子强教授与其博士生共同创立的拓诺稀科技，聚焦于氧化镓外延薄膜的制备及高性能半导体器件的开发，是全球独家通过MOCVD工艺实现了稳定p型导电氧化镓外延层的企业，填补了氧化镓材料体系中长期缺失的p型导电空白。
陈子强教授表示：“我们解决了氧化镓20年的无p型导电性能痛点，解锁氧化镓的双极器件能力，重构氧化镓的产业链生态，市场规模提升至少10倍，百亿规模市场变为数干亿规模市场。”
据悉，团队成功改造MOCVD工艺的生产设备在厂房中运行良好，实现了设备平台与氧化镓材料的深度适配，为第四代半导体材料的本土化生产与应用提供了可持续的技术支持平台。
