简介
4H SiC 中晶体缺陷的准确表征对于增进对晶体生长的基本了解、改进过程控制和实现成功的工业应用至关重要。在多种应用中，4H SiC 引起了电力电子领域的特别关注，因为与传统硅基器件相比，4H SiC 具有固有的优势，例如更高的工作温度和更低的开关损耗。另一方面，对 SiC 中各种晶体缺陷密度的有限工艺控制，包括基面位错 (BPD) 和堆垛层错 (BSF)，可能会严重影响器件良率。同步加速器 X 射线形貌 (XRT) 已应用于 PVT 生长的 SiC 中晶体缺陷的高灵敏度表征。该技术使得能够观察基面滑移带 (BPSB)，这是密集聚集的平行 BPD 阵列。BPSB 的几何形状与 SiC 晶圆上的棒堆垛层错 (BSF) 相似，但它们是不同的缺陷。在此，我们报告了生产线计量工具的能力，用于检测 BPSB 并将其分类为测试级晶圆上与 BSF 不同的缺陷，以及通过外延生长进行缺陷传播的研究。
实验
4H n 型 SiC 晶锭通过籽晶升华生长，并使用标准晶圆和抛光工艺从晶锭制造晶圆。使用同步加速器 X 射线形貌 (XRT) 和激光扫描 (KLA Candela 8520) 技术对晶圆进行成像。XRT 成像使用
