成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件

日期:2024-03-13 阅读:248
核心提示:成果编号:2024056成果名称:基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件成果来源:苏州纳米技术与纳米仿生研究所成果介

成果编号:

2024056

成果名称:

基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件

成果来源:

苏州纳米技术与纳米仿生研究所

成果介绍:

成果(项目)简介GaN基电力电子器件作为对电能实现高效控制的核心部件,在整个电力电子技术中扮演着至关重要的角色。最近三年内,以日本松下、美国EPC、加拿大GaN System为代表的三家半导体功率器件公司,相继推出了以p型栅极为技术路线的GaN基增强型电力电子器件商用化产品。由于采用该技术路线制备增强型器件对于材料外延生长、器件工艺均具有较高要求,难度较大,目前国内开展这方面研究的单位较少,且采用常规技术制备的器件无法兼顾器件导通与关断特性。针对此问题,中科院苏州纳米所成功研制出基于凹槽二次外延p-GaN技术的增强型电力电子器件,且开发出具有工艺兼容性的高温LPCVD钝化技术相兼容,全面提升了器件的直流与动态特性。成果(项目)创新性/主要优势/知识产权布局中科院苏州纳米所成功研制出硅衬底上基于p-GaN栅极技术的增强型电力电子器件,输出电流为435 mA/mm,阈值电压达到1.7 V @ IDS = 10 μA/mm,开关比达到1010,为已报道硅基GaN同类器件的国际先进水平,且相关核心制备技术已进行专利布局(GaN基增强型HEMT器件的制备方法,201610693110.X;基于复合势垒层结构的III族氮化物增强型HEMT及制作方法,201810031021.8)。未来,将积极寻求与电源转换、无线充电、激光雷达等领域在内的下游应用厂商展开合作,推动硅基GaN电力电子器件的应用。

图1 GaN-on-Si Power器件结构

技术成熟度:

暂无 

来源:中国科学院知识产权与科技成果转化网

 

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