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苏州纳米所孙钱团队在硅衬底GaN基纵向功率器件方面取得新
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英伟达收购Arm新
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,欧盟宣布深入调查
浙江首条12吋晶圆生产线项目最新
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日本半导体招商努力新
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:美光科技将投资70亿美元建厂
山东力冠微电子孙军伟:第三代半导体晶体生长及相关装备
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凯德石英拟投资4800万元加快零部件国产化
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凯德石英
投资
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南砂晶圆碳化硅项目建设取得新
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无锡总投资40亿的半导体项目迎来新
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【CASICON 2021】苏州晶湛半导体向鹏:用于新型GaN功率器件的外延技术
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【CASICON 2021】中电科五十五所刘强:碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发
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【CASICON 2021】厦门大学梅洋:氮化镓基VCSEL技术
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【CASICON 2021】北京大学杨学林:Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究
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【CASICON 2021】南京大学陈鹏:低开启/超高压GaN肖特基功率器件研究新
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【CASICON 2021】启迪半导体钮应喜:碳化硅外延装备及技术
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【CASICON 2021】东南大学教授刘斯扬:SiC功率MOSFET器件可靠性研究
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株洲国创越摩先进封装项目取得阶段性
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总投资26.8亿
CASICON 2021前瞻:碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发
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CASICON 2021前瞻:碳化硅外延装备及技术
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芜湖启迪半导体
钮应喜
南京功率
射频半导体
应用峰会,
碳化硅外延
装备
CASICON 2021前瞻:SiC功率MOSFET器件可靠性研究
进展
CASICON 2021前瞻:南京大学电子科学与工程学院陈鹏教授将出席南京功率与射频半导体应用峰会
南京大学
陈鹏教授
GaN基
肖特基
功率器件
研究
新进展
中科院上海微系统所程新红研究员将出席南京功率与射频应用峰会,将带来“SOI基GaN材料及功率器件集成技术
进展
”
中科院上海微系统所
程新红
研究员
南京功率
射频应用峰会,SOIGaN材料
功率器件
集成技术
电子科技大学教授邓小川将出席南京功率与射频应用峰会 分享极端应力下SiC MOSFET器件动态可靠性研究
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半绝缘碳化硅单晶衬底的研究
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Si基GaN 射频器件研究
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半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获
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比亚迪半导体IPO
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“神速”,已获深交所受理
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专利被宣告无效!鉴定结果显示不侵权!歌尔敏芯专利战最新
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官宣投产!露笑科技,山东国宏中能碳化硅项目新
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东京大学公路充电系统研发最新
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