山东力冠微电子孙军伟:第三代半导体晶体生长及相关装备进展

日期:2021-10-08     来源:半导体产业网    
核心提示:山东力冠是专门从事晶体生长设备、半导体工艺装备的一家专业装备生产商,报告分享了HVPE设备、氮化铝PVT设备、导模法单晶生长设备、SIC芯片热处理设备等的新进展。
SiC和GaN作为第三代半导体材料的先锋,以其三大特性:开关频率高、禁带宽度大、导通电阻低,使得新一代通用电源在缩小容积以及提升充电速度方面都有了长足进步。
 
近日,由半导体产业网、第三代半导体产业(公号)、博闻创意会展(深圳)有限公司共同主办的“2021第三代半导体技术及充电产业合作论坛”在“ELEXCON深圳国际电子展暨嵌入式系统展”同期举行。
 
第三代半导体设备技术是第三代半导体技术发展的重要支撑和基础。会上,山东力冠微电子装备有限公司销售总监孙军伟做了题为“第三代半导体晶体生长及相关装备进展”的主题报告,6寸碳化硅单晶生长难点(感应加热方式)涉及原料区和生长区的温度需要独立控制;腔室真空度及泄漏率难以降低背景氮杂质浓度,导致掺杂不可控;高温下,保温损耗和变形,导致温场稳定性、一致性差等,主要解决方法包括双线圈分区控制,优化密封技术,减少氮杂质;独特的坩埚旋转,降低对坩埚温场的影响等。
 
山东力冠是专门从事晶体生长设备、半导体工艺装备的一家专业装备生产商,报告分享了HVPE设备、氮化铝PVT设备、导模法单晶生长设备、SIC芯片热处理设备等的新进展。
 
 
 

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