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三安光电副总陈东坡：碳化硅器件在长续航新能源车型中渗透率或将达100%
 评论 ⋅  2021-12-22 16:36
又一家碳化硅功率器件厂商完成C轮亿元级融资
 评论 ⋅  2021-12-20 21:05
晶方科技拟加强对第三代半导体氮化镓器件公司VisIC的投资
晶方科技以色列第三代半导体VisIC投资
 评论 ⋅  2021-12-20 15:23
华东光电集成器件研究所展明浩：MEMS传感器发展现状及在自动驾驶中的应用
 评论 ⋅  2021-12-16 17:49
上海电驱动电控研究院院长陈雷：功率半导体在新能源汽车电机控制器中的应用
 评论 ⋅  2021-12-16 17:33
南京电子器件研究所张凯：大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用
 评论 ⋅  2021-12-14 14:46
西安电子科技大学刘志宏：面向移动SoC应用的氮化镓射频器件研究进展
 评论 ⋅  2021-12-14 14:44
中电科第十三研究所梁士雄：基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:43
日本德岛大学教授敖金平：转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:40
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE：i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:39
中国科技大学Alsaman A. amgad：HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:34
IFWS2021：射频电子器件与应用论坛成功举行
 评论 ⋅  2021-12-14 14:29
北京大学物理学院杨学林：Si衬底上GaN基功率电子材料及器件研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:52
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
西交利物浦大学王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的单片比较器用于高温应用的MIS-HEMT
 评论 ⋅  2021-12-13 11:47
南方科技大学深港微电子学院汪青：GaN器件及其系统的最新研究进展
 评论 ⋅  2021-12-13 11:41
电子科技大学李曦：GaN HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:29
最新进展分享 氮化镓功率电子器件论坛成功举行
 评论 ⋅  2021-12-13 11:24
北京大学许福军：高质量AlN实现路径探索及深紫外发光器件应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:08
厦门大学黄凯：紫外光电器件中的极化激元和等离激元研究
 评论 ⋅  2021-12-11 16:02
干货满满！IFWS 2021：碳化硅功率器件与封装应用论坛成功召开！
 评论 ⋅  2021-12-10 21:53
中科院半导体所张逸韵：基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:22
山东大学徐明升：基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器
 评论 ⋅  2021-12-10 17:16
美国康奈尔大学教授Huili Grace XING：对抗氮化镓和碳化硅的氧化镓功率器件Ga2O3
 评论 ⋅  2021-12-10 16:42
艾欧史密斯（中国）陈小波：紫外杀菌技术在净水器中的应用研究
 评论 ⋅  2021-12-10 15:55
应用潜力不断释放 固态紫外材料与器件技术最新进展
 评论 ⋅  2021-12-10 15:09
佛智芯副总经理林挺宇：先进封装大板扇出研发及功率器件封装应用
佛智芯微电子半导体智能装备系统集成创新中心林挺宇先进封装大板扇出功率器件封装
 评论 ⋅  2021-12-10 11:53
复旦大学特聘教授张清纯：SiC器件和模块的最新进展
复旦大学教授上海碳化硅功率器件张清纯SiC器件模块
 评论 ⋅  2021-12-10 10:39
启迪半导体研发总监钮应喜：第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及进展
芜湖启迪半导体钮应喜第三代半导体碳化硅器件产业化
 评论 ⋅  2021-12-10 09:35
西安电子科技大学张艺蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究
西安电子科技大学微电子学院教授张艺蒙SiC功率MOSFET器件可靠性
 评论 ⋅  2021-12-10 09:31
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