厦门大学黄凯:紫外光电器件中的极化激元和等离激元研究

日期:2021-12-11 来源:半导体产业网阅读:252
核心提示:近日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产
近日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。
黄凯
 
期间,“固态紫外材料与器件技术“论坛上,厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授黄凯做了题为“紫外光电器件中的极化激元和等离激元研究”的主题报告。通过引入极化子或等离子体激元等新概念,可以获得具有新特性或高性能的光电子器件。报告展示了厦门大学在这方面取得的一些最新进展。



 
报告指出,研究首次在AlN中观察到激子极化子在200nm波段的发光,真空中Rabi分裂达到44 meV,并观察到激子极化子与声子之间的耦合。外延生长高质量AlN/GaN短周期SLs增强,光和激子耦合显着增强,真空Rabi分裂高达200meV。SPP和LSP用于改变出射光子的方向,以提高UV LED的正光提取效率。实现氮化物半导体SPACER从蓝绿光到深紫外波段,实现电子束泵浦激光。设计并制造了双层铝纳米光栅绿色LED结构,采用调制等离子体耦合增强,实现了70%以上的IQE提高和~54%的线性偏振度。利用InGaN/GaN纳米孔和II-VI族核壳量子点混合结构实现基于非辐射能量转移的单片白光LEDFano。


 
(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
 

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