首页 > 新闻资讯 > 搜索
大连理工大学王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途径--低温再氧化退火技术
大连理工大学王德君教授SiCMOS器件氧化后退火低温再氧化退火技术
 评论 ⋅  2021-12-10 09:28
中电科48所巩小亮：SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展
中国电子科技集团第四十八研究所半导体装备巩小亮SiC功率器件制造工艺核心装备
 评论 ⋅  2021-12-10 09:26
欣锐科技董事长吴壬华博士：SiC器件在新能源汽车产业中的应用
深圳欣锐科技吴壬华博士SiC器件新能源汽车
 评论 ⋅  2021-12-10 09:24
技术与应用新进展 SSLCHINA 2021：固态紫外器件应用论坛成功举行
 评论 ⋅  2021-12-09 10:02
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化镓功率器件论坛最新日程出炉
 评论 ⋅  2021-11-29 11:09
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：碳化硅功率器件论坛最新日程出炉
 评论 ⋅  2021-11-29 10:33
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：固态紫外器件应用论坛最新日程出炉
 评论 ⋅  2021-11-27 18:09
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：固态紫外材料与器件技术论坛最新日程出炉
 评论 ⋅  2021-11-27 16:48
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：射频电子器件与应用论坛最新日程出炉
 评论 ⋅  2021-11-26 19:00
环旭电子：预计在2022年正式量产用于电动车逆变器的IGBT与SiC的功率模组
 评论 ⋅  2021-11-26 16:30
芯导科技募资加强功率器件与IC研发，抓紧第三代半导体材料发展机遇
芯导科技募资功率器件IC研发第三代半导体材料
 评论 ⋅  2021-11-26 11:24
国星光电：公司Micro LED芯片实现小批量供货 已开展GaN功率器件研发工作
 评论 ⋅  2021-11-25 16:13
IFWS 2021：射频电子器件与应用论坛将于12月6日召开！
IFWS2021射频电子器件
 评论 ⋅  2021-11-24 22:50
IFWS 2021前瞻：中国电科首席科学家冯志红将出席射频电子器件与应用论坛
氮化镓肖特基二极管太赫兹倍频器冯志红中国电科
 评论 ⋅  2021-11-22 16:04
IFWS 2021前瞻：中科院半导体研究所副所长张韵将出席射频电子器件与应用论坛
中科院半导体研究所副所长张韵亚毫米波段GaN基HEMT
 评论 ⋅  2021-11-22 15:53
德州仪器 ( TI ) 将于明年开始建造新的 12 英寸半导体晶圆制造厂
 评论 ⋅  2021-11-18 15:24
诚邀提名｜2021年度华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选正式启动…
 评论 ⋅  2021-11-13 10:13
苏州纳米所孙钱团队在硅衬底GaN基纵向功率器件方面取得新进展
 评论 ⋅  2021-11-05 17:25
闻泰科技：安世半导体推出领先性能的氮化镓功率器件 (GaN FET)
 评论 ⋅  2021-11-05 17:24
功率器件厂商东微半导科创板IPO成功过会
 评论 ⋅  2021-11-05 10:13
Qorvo收购SiC器件供应商UnitedSiC
 评论 ⋅  2021-11-04 09:48
可穿戴织物传感器有望用于疾病监测
 评论 ⋅  2021-11-02 11:01
2021年中国功率半导体分立器件市场现状及发展前景分析
 评论 ⋅  2021-11-01 12:08
ICinsights：传感器销量放缓，阻碍OSD增幅
 评论 ⋅  2021-10-29 19:11
2021年中国功率半导体分立器件市场现状及发展前景分析 市场规模保持增长
 评论 ⋅  2021-10-29 15:49
西电郝跃院士团队成功突破柔性高性能GaN半导体外延材料与器件制备技术
 评论 ⋅  2021-10-29 11:57
正海集团与罗姆合资公司成立，专攻碳化硅功率器件
正海集团罗姆碳化硅功率器件
 评论 ⋅  2021-10-27 11:27
博格华纳荣获美国能源部颁发的高功率密度逆变器奖
博格华纳美国能源部高功率密度逆变器
 评论 ⋅  2021-10-27 11:24
ICinsights：传感器销量放缓，阻碍OSD增幅
 评论 ⋅  2021-10-27 10:34
荷兰研发具有成本效益的印刷传感器，可监测心率、呼吸频率和姿势
 评论 ⋅  2021-10-26 11:17
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部