IFWS& SSLCHINA 2021前瞻:碳化硅功率器件论坛最新日程出炉

日期:2021-11-29     来源:半导体产业网    
核心提示:碳化硅功率器件论坛最新日程出炉
碳化硅功率器件
2021年12月6-8日,以“创芯生态 碳索未来”为主题的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
 
期间,“IFWS& SSLCHINA 2021:功率电子器件与应用论坛(碳化硅功率器件专场)“将于12月6日举行,特别邀请美国电力首席执行官兼首席技术官、北卡罗莱纳州立大学教授Victor VELIADIS,深圳欣锐科技股份有限公司董事长吴壬华,美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士Anant AGARWAL,中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部副主任巩小亮,大连理工大学教授王德君,北京北方华创微电子装备有限公司LED及化合物半导体行业发展部总经理王显刚,芜湖启迪半导体有限公司研发总监钮应喜,德国爱思强股份有限公司中国区副总经理方子文,广东佛智芯微电子技术研究有限公司副总经理、广东省半导体智能装备与系统集成创新中心首席科学家林挺宇,中国科学院微电子研究所系统封装与集成研发中心副研究员侯峰泽,全球能源互联网研究院高级工程师张祎慧, 复旦大学张园览等代表性先进研究力量,分享碳化硅功率器件技术的最新进展。浙江大学电气工程学院院长、教授盛况,复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任张清纯将共同主持本次论坛。
 
作为一年一度的行业盛会,论坛及同期活动将全面呈现第三代半导体产业动向及技术趋势,为除了开幕大会、本届论坛设有功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、材料与装备论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、电力电子标准与检测研讨会等超30场次论坛活动。聚焦第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的国内外前沿进展;第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的产业发展战略与机遇;第三代半导体材料相关技术与新一代信息技术、新能源汽车、新一代通用电源、高端装备等产业的相互促进与深度融合;产业链、供应链多元化与核心技术攻关等。也欢迎业界同仁参与其中,对接资源,洽谈商机,共商产业发展大计。
 
部分嘉宾简介
盛况
盛况,浙江大学浙江大学电气工程学院院长,求是特聘教授。长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。 
 
团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ•cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化,合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司,实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文200余篇,引用次数2700次以上,获授权专利20余项(40余项申请中),2010年获浙江省自然科学二等奖,2019年获国家技术发明二等奖。
张清纯
张清纯,复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、教授.长期从事SiC器件的研发和产业化。迄今撰写过100余篇科技论文和SiC器件领域专著;多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告;作为第一和合作发明人,拥有75多项美国专利;多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席;曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。研究方向:半导体物理与器件;宽带半导体器件物理、工艺、测试、产业化及应用;器件模拟及仿真;电力系统。
Victor VELIADIS
Victor VELIADIS,美国电力首席执行官兼首席技术官,美国北卡罗莱纳州立大学教授。美国电力是美国能源部宽禁带电力电子公私合营制造机构。Veliadis博士管理着超过3000万美元每年的预算,他战略性地分配了超过35个工业、大学和国家实验室项目,以使美国在宽禁带电力电子制造,劳动力发展,创造就业和节约能源方面处于领先地位。Veliadis博士至今已进行过超过60次的邀请演讲、报告或教学指导,他是一位IEEE会士,同时是一位IEEE电子器件协会杰出讲师。他持有25项美国专利,给3部书写过章节,并发布过115个同行评审的技术出版物。Victor VELIADIS博士同时还任北卡罗莱纳州立大学教授。在2016年被任命为Power America的副执行董事兼首席技术官之前,Veliadis博士在半导体行业工作了21年,他的工作内容包括SiC SIT、JFET、MOSFET、半导体闸流管、JBS、肖特基二极管、和1-12 kV范围内的PiN二极管的设计、制造和测试。
吴壬华
吴壬华,深圳欣锐科技股份有限公司董事。1991年9月至1993年6月,在日本九州大学工学部电子工学科担任访问学者;1993年7月至1997年2月,就职于日本NEMIC-LAMBDA株式会社(现名为TDK-Lambda株式会社)技术本部,担任高级工程师;1997年2月至2004年12月,就职于深圳市华为电气技术有限公司(现更名为“维谛技术有限公司”),担任副总裁等职务;2005年1月创办深圳欣锐科技股份有限公司,现任董事长兼总经理。
Anant AGARWAL
Anant AGARWAL,美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士
王德君
王德君,大连理工大学教授,博士生导师(微电子、控制、凝聚态物理),曾先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学。研究方向:1. 智能电子控制及安全;传感器与传感网;2. 人工智能类脑芯片技术;3. 半导体碳化硅、氮化镓电子器件科学 S;4. 半导体缺陷物理学。
林挺宇
林挺宇,广东佛智芯微电子技术研究有限公司副总经理,广东省半导体智能装备与系统集成创新中心首席科学家。长期从事微电子封装及可靠性方面的研究,曾主持制定适合于我国生产和研发基础的战略和规划技术方案、建立世界级的PCBA/SMT工艺设计标准、实现2.5D整体工艺流程的贯通,填补国内在2.5D/3D整体集成技术上的空白,参与领导多项国家02专项,任课题组长及首席科学家,并在2015/2017荣获中国半导体新技术奖。
钮应喜
钮应喜, 芜湖启迪半导体有限公司研发总监,安徽省技术领军人才。主要从事第三代半导体材料和器件的研制;申请国家专利64项;牵头编制国家标准两项,发布行业标准一项,团体标准多项。发表论文40余篇;作为项目负责人主持安徽省重大项目2项;作为任务课题负责人承担2项国家重点研发计划和863项目。
方子文
方子文博士毕业于英国利物浦大学工程学院,主修先进半导体沉积技术,现任AIXTRON中国区市场营销和工艺高级部门经理。他在AIXTRON曾担任工艺科学家,实验室部门经理等职,精通三五族化合物半导体MOCVD外延材料生长、制备和测试。其中包括硅基GaN材料用于功率及射频器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器,及Mini/Micro LED显示面板产品使用的外延材料。
王显刚
王显刚,北京北方华创微电子装备有限公司LED及化合物半导体行业发展部总经理,历任北方华创销售经理、销售总监、LED行业发展部总经理等职位;多年从事LED行业,并专注于外延芯片制程高端装备的开发与销售积极探索行业发展,与同事致力于为行业导入新装备与新技术,刻蚀与薄膜多款国产设备已成为行业主流首选设备,ALN制程设备已成为行业标准制程。 
 
最新日程如下:

F1-功率电子器件与应用论坛(碳化硅功率器件)

时间:2021年12月6日

地点:深圳会展中心• 六层茉莉厅

Time: Dec 6th,2021

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 6th Floor Jasmine Hall

屏幕尺寸 / Slides Size:16:9

主持人

Moderator

盛  况——浙江大学电气工程学院院长、教授

张清纯——复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任

13:30-13:55

SiC Mass Commercialization: Present Status and Barriers

Victor VELIADIS-- Chief Officer and CTO of Power America, Professor of North Carolina State University

Victor VELIADIS--美国电力首席执行官兼首席技术官、北卡罗莱纳州立大学教授

13:55-14:15

SiC器件和模块的最新进展 

Recent Advances of SiC Power Devices (TBD)

张清纯-复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任

Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University

14:15-14:35

SiC器件在新能源汽车产业中的应用

Application of SiC devices in the new energy automobile industry

吴壬华--深圳欣锐科技股份有限公司董事长

WU Renhua—Chair of the Board, SHINRY

14:45-15:10

The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?

Anant AGARWAL—美国俄亥俄州立大学教授、IEEE会士

Anant AGARWAL—Professor of The Ohio State University, IEEE Fellow

 

SiC功率器件制造工艺特点与核心装备创新进展

Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices

巩小亮 — 中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任

Xiaoliang Gong— Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

15:10-15:35

SiC MOS器件氧化后退火新途径——低温再氧化退火技术A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology

王德君      大连理工大学教授

Wang Dejun   Professor of Dalian University of Technology

15:35-15:50

茶歇/Coffee break

 

15:50-16:15

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device

张艺蒙--西安电子科技大学微电子学院教授

Yimeng Zhang-- Professor of School of Microelectronics, Xidian University

 

第三代半导体碳化硅器件产业化关键技术及发展进展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization

钮应喜   芜湖启迪半导体有限公司研发总监

NIU Yingxi  R&D Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd

 

促进宽禁带半导体产业化的关键外延技术The key epitaxial technology to promote the industrialization of wide bandgap semiconductors

 

方子文  德国爱思强股份有限公司中国区副总经理

FANG Ziwen  Deputy General Manage,China AIXTRON SE

 

先进封装大板扇出研发及功率器件封装应用

The Research on Panel Level Fan Out Package and its Application on Power Electronics 

林挺宇——广东佛智芯微电子技术研究有限公司副总经理,广东省半导体智能装备与系统集成创新中心首席科学家

Tingyu LIN—Deputy General Manager of Guangdong FZX Microelectronics Technology Co. Ltd, Principal Scientist of CNC Equipment Cooperative Innovation Institute

16:15-16:40

高可靠功率系统集成的发展和挑战

Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging

侯峰泽—中国科学院微电子研究所系统封装与集成研发中心副研究员

Fengze Hou—Associate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences

 

 

16:40-17:05

用于SiC功率器件的先进封装解决方案

Advanced packaging solution for SiC power devices

张靖—贺利氏电子中国区研发总监

ZHANG Jing—Director of Innovation China of Heraeus Electronics

 

压装式IGBT双面热阻测试方法的研究与应用Research and Application of Double-sided Thermal Resistance Test Method for Press-pack IGBT

张祎慧 

17:05-17:30

High-Efficiency 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Better FOM based on Charge-Balance Strategy

张园览--复旦大学

Yuan-Lan ZHANG—Fudan University

 

 

备注:日程或有微调,皆以现场为准。

附件:论坛资料
第七届国际第三代半导体论坛
暨第十八届中国国际半导体照明论坛
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
 
IFWS & SSLCHINA 2021
 
国际第三代半导体论坛(IFWS)是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会,是前瞻性、全球性、高层次的综合性论坛。会议以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作,引领第三代半导体新兴产业的发展方向为活动宗旨,全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展,联结产、学、研、用,提供全球范围的全产业链合作平台。在过去的六年时间里,IFWS延请宽禁带半导体领域国际顶级学术权威分享最前沿技术动态,已发展成具有业界影响力的综合性专业论坛。
 
中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)是半导体照明领域最具规模、参与度最高、口碑最好的全球性专业论坛。论坛以促进半导体照明技术和应用的国际交流与合作,引领半导体照明产业的发展方向为活动宗旨,全面覆盖行业工艺装备、原材料,技术、产品与应用的创新发展,提供全球范围的全产业链合作平台,致力于拓展业界所关注的目标市场,以专业精神恒久缔造企业的商业价值。在过去的十七年里,SSLCHINA邀请了包括诺贝尔奖得主在内的全球最顶级专家阵容,呈现了超过1800个专业报告,累计参会代表覆盖全球70多个国家逾26500人次。
 
国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛同时同地举办,同台汇力,相映生辉,放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。
 
论坛长期与IEEE合作。投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表,IEEE是EI检索系统的合作数据库。目前,论坛同期论文已开启征集,论坛长期与IEEE合作。投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表,IEEE是EI检索系统的合作数据库。

2021先进半导体技术应用创新展(CASTAS 2021)也同时招展中,欢迎业界人士的参与其中,对接资源,洽谈商机,共商产业发展大计。
 
据了解,目前论坛组织工作正有序开展中,以下为会议最新信息:
 
论坛信息
会议时间:2021年12月6-8日
会议地点:深圳会展中心(福田区)
会议住宿:深圳·大中华希尔顿酒店
论坛主题:创芯生态  碳索未来
 
主办单位
国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)
第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)
 
论文重要期限及提交方式
 口头报告演示文件(PPT或PDF)与POSTER电子版提交截止日:2021年11月28日
备注:目前已经进入专家审稿程序,在全文提交截止前仍可继续投稿,欢迎大家直接投全文!
IFWS & SSLCHINA 2021会议日程
最新日程安排1126
备注:总体日程概览或有微调,以现场为准。
注册费用权益表
1124权益表

备注:

*国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。

*学生参会需提交相关证件。

*会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

*若由于某些原因,您缴费后无法参会,可办理退款事宜,组委会将扣除已缴费金额的40%作为退款手续费。

*SSL相关会议包含:开幕大会、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、固态紫外器件与应用论坛、材料与装备论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、生物农业光照技术研讨会、闭幕仪式。

*IFWS相关会议包含:开幕大会、功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、材料与装备论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、第三代半导体标准与检测研讨会、闭幕仪式。

*产业峰会包含:车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛,以及部分论坛中的产业单元(包括照明设计与文旅灯光、智慧照明与智慧城市、汽车照明与车用灯具、紫外器件应用、Mini/Micro-LED应用与产业、新一代电源应用技术、能源互联网应用技术等会议单元)。

*餐饮包含:126日午餐、6日欢迎晚宴(大中华希尔顿酒店)、7日午餐+晚餐

报名优惠期
即日起至2021年12月3日之前,完成注册缴费即可享受折扣票(详见上图),国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。学生参会需提交相关证件。会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
 
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1.论文咨询
白女士
电话:010-82387600-602
邮箱:papersubmission@china-led.net
 
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贾先生
010-82380580
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张女士
010-82387380
13681329411
zhangww@casmita.com

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