2021年中国功率半导体分立器件市场现状及发展前景分析

日期:2021-11-01     来源:前瞻网    
核心提示:预计到2026年,中国功率半导体分立器件产量将超过16000亿只,产值将超过500亿元。
1、功率分立器件产量和产值持续上涨
功率半导体分立器件指额定电流不低于1A,或额定功率不低于1W的半导体分立器件。2015-2020年,中国功率半导体分立器件产量和产值均呈现持续上涨的趋势。2020年,中国功率半导体分立器件产量为4885亿只,较2019年同比增长8%。2020年,中国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元,较2019年同比增长3%。
 
 
 
 
 
 
 
2、MOSFET产品优势凸显、需求量大
 
功率半导体分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三大类,其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴,SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率晶体管中,MOSFET和IGBT属于全控型分立器件,MOSFET根据应用特性的不同,还包括平面型功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET等多种类型。
 
 
MOSFET在分立功率半导体器件当中排名首位,2019年占市场规模的36.3%,其次为二极管、其他三极管(包括IGBT)及晶闸管,市场份额分别为32.2%、26.0%及5.5%。
 
MOSFET的优势在于开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率小且驱动电路简单、工作频率高以及不存在二次击穿问题等方面;而功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势。基于产品自身的特点和优势,MOSFET和二极管在功率分立器件市场中占据近70%的市场规模。在MOSFET下游应用的快速发展基础下,按MOSFET销售额划分的市场规模已由2015年的37亿美元增至2019年的53亿美元,复合年增长率约9.2%。
 
 
3、功率分立器件市场规模将继续增长
 
展望未来,依据全球需求的普遍上升,加上中国制造分立器件如MOSFET、二极管及三极管的庞大产能,中国功率半导体分立器件市场规模预期将会持续增长。预计到2026年,中国功率半导体分立器件产量将超过16000亿只,产值将超过500亿元。
 
 
打赏
联系客服 投诉反馈  顶部