IFWS& SSLCHINA 2021前瞻:氮化镓功率器件论坛最新日程出炉

日期:2021-11-29     来源:半导体产业网    
核心提示:“IFWS& SSLCHINA 2021:功率电子器件与应用论坛(氮化镓功率器件专场)“将于12月7日举行
氮化镓功率器件 (1)
2021年12月6-8日,以“创芯生态 碳索未来”为主题的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
 
期间,“IFWS 2021:功率电子器件与应用论坛(氮化镓功率器件专场)“将于12月7日上午举行,特邀电子科技大学教授张波,西安电子科技大学副校长、教授张进成,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱主持。会上,特别邀请到加拿大多伦多大学教授吴伟东,南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇,中国科学院苏州纳米所研究员孙钱,深圳大学微电子研究院院长助理、材料学院研究员刘新科,北京大学物理学院高级工程师杨学林,华南理工大学李国强/李善杰,美国Analog 设备公司张薇葭,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室李曦,西安电子科技大学王婷婷等代表性先进研究力量,分享氮化镓功率器件技术的最新进展。
 
作为一年一度的行业盛会,论坛及同期活动将全面呈现第三代半导体产业动向及技术趋势,为除了开幕大会、本届论坛设有功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、材料与装备论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、电力电子标准与检测研讨会等超30场次论坛活动。聚焦第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的国内外前沿进展;第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的产业发展战略与机遇;第三代半导体材料相关技术与新一代信息技术、新能源汽车、新一代通用电源、高端装备等产业的相互促进与深度融合;产业链、供应链多元化与核心技术攻关等。也欢迎业界同仁参与其中,对接资源,洽谈商机,共商产业发展大计。
 
部分嘉宾简介

张进成

西安电子科技大学副校长、教授

张进成,博士,二级教授,博士生导师,教育部长江学者特聘教授,领军人才,卓越青年基金获得者,国务院政府特殊津贴专家,陕西省三秦学者特聘教授。现任西安电子科技大学副校长、宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任,曾担任ICNS、DRIP、APWS等国际学术会议电子器件分会主席,微电子学院副院长,科学研究院院长。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件,发表SCI论文300余篇,出版专着3部,授权发明专利80余项,成果6次被国际着名杂志Semiconductor Today专题报道。获得国家技术发明二等奖2项(排名第一和第二),省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授,从事宽禁带半导体电子材料与器件研究,是我国乃至国际上最早开展宽禁带(第三代)半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。


吴伟东
吴伟东,加拿大多伦多大学电子与计算机工程学部教授,其研究领域涵盖智能功率半导体器件及其制作工艺,尤其擅长功率管理集成电路、集成电源开关和集成D类音频功率放大器的开发。1990年获得多伦多大学的博士学位后,吴教授加入德州仪器公司,开发适用于汽车应用的功率晶体管。1992年吴教授加入香港大学开始学术研究生涯。1993年,吴教授加入多伦多大学,组建了智能功率集成电路和半导体器件研究团队,他于1998年和2008年分别晋升为副教授和正教授,他拥有智能功率集成电路和射频领域CMOS技术研发与改进的丰富阅历。吴教授是多伦多纳米制造中心主任和多伦多大学开发获取研究中心主任。吴教授自2009年起担任IEEE电子器件快报的副主编。
张 波

电子科技大学教授

张波,教授,博士生导师,电子科技大学集成电路研究中心主任。国家自然科学基金委员会第十二届专家评审组专家;国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项总体组专家(2008-2013);国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项总体组特聘专家;国家集成电路人才培养基地专家组专家;中国半导体行业协会理事;中国电工技术学会电力电子学会理事;四川省电子学会半导体集成技术专委会主任等。1985年本科毕业于北京工业学院(现北京理工大学)半导体专业,同年推荐免试进入成都电讯工程学院(现电子科技大学)修读半导体专业工学硕士学位。1988年4月研究生毕业后留校工作于微电子科学与工程系,1990年被评为助理研究员(讲师),1994年7月破格晋升副教授。1996年5月,受国家教委委派,以高级访问学者身份赴美国Virginia理工大学进修,1996年11月-1999年11月,在美国国家工程中心功率电子系统中心(CPES)继续从事研究工作,参加了由美国科学基金、美国海军部、Intel公司、HARRIS公司等资助的十余项科研项目研究。1999年11月回国工作,2000年7月被破格晋升教授,2002年被聘为博士生指导教师。2000年被评为四川省跨世纪青年学科带头人,2002年教育部“高校青年教师奖”获得者,2005年被评为成都市“十大杰出青年”,政府特殊津贴获得者,成都市有突出贡献优秀专家,四川省有突出贡献优秀专家,四川省学术和技术带头人,2013年入选国家“有突出贡献中青年专家”和“国家百千万人才工程”。从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究,在功率半导体领域发表SCI收录论文200余篇、EI收录论文300余篇,获中美发明专利授权80余项,获国家科技进步二等奖等国家及部级科研奖励11项(其中牵头获得2010年国家科技进步二等奖)。所领导的实验室在功率半导体领域已培养出博士50名、硕士600余名。在教学与学术研究的同时为境内外企业成功开发了百余种(款)功率半导体领域新工艺和新产品,实现销售数亿只。

于洪宇
于洪宇,南方科技大学深港微电子学院院长、教授,于洪宇教授代表南科大与第三代半导体产业技术创新战略联盟共同成功筹建深圳第三代半导体研究院,并担任副院长。与清华大学共同牵头成功筹建广东省未来网络高端器件制造业创新中心,成功筹建南科大深港微电子学院(被教育部批准为国家示范性微电子学院)以及未来通信集成电路教育部工程研究中心。牵头组建深圳市第三代半导体重点实验室、广东省GaN器件工程技术中心,并成立团队。
于洪宇教授在集成电路工艺与器件方面,包括CMOS、新型超高密度存储器、GaN器件与系统集成(GaN HEMT) 、以及电子陶瓷方面发表学术论文近400篇,其中近180篇被SCI收录,总他引次数近5000次,H 影响因子为39。编辑2本书籍并撰写了4本专业书籍的章节。发表/被授予近20 项美国/欧洲专利以及30项以上国内专利。产学研方面,在第三代半导体领域承担了与华为/方正微电子等公司的横向课题,使得GaN功率器件在其公司的p-line生产,目前承担一项6寸硅基GaN功率器件产业化的广东省重大专项。在电子陶瓷领域创办南湾通信科技有限公司,成功吸引天使投资1500万用于量产介质滤波器。
孙钱
孙钱,中国科技大学材料物理和计算机科学与技术双学士(郭沫若校长奖获得者)、美国耶鲁大学博士(耶鲁工学院Becton奖获得者),国家技术发明一等奖获得者,国家优秀青年基金获得者,首批国家特聘青年专家,江苏省“双创人才”,中国电子学会优秀科技工作者。现任中科院苏州纳米所研究员、博导、器件部副主任。长期致力于硅基III族氮化物半导体材料生长与光电子及功率电子器件制备研究。通过与企业的产学研实质性合作,带领团队研发出硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片技术,并在全球率先产业化,年销售逾4亿元。2016年成功研制出国际上首支硅衬底GaN基激光器,入选中国光学重要成果和科技部高新技术领域创新进展报告。近5年来主持承担了国家重点研发计划课题、863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、中科院科技服务网络STS计划区域重点项目、江苏省重点研发计划项目等。迄今为止,在Nature Photonics、Light: Science & Applications等国际学术期刊上发表了100余篇学术论文,是30余项美国和中国发明专利的发明人。应邀在国际氮化物半导体学术会议和产业论坛上作特邀报告40余次。现兼任中国物理学会发光分会第十四届委员会委员、中国激光杂志社青年编辑委员会委员、《半导体学报》第十二届编辑委员会委员、《发光学报》第一届青年编辑委员会委员、SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员。
李国强
李国强,华南理工大学材料学院教授,博士生导师,主要研究方向为光电半导体材料与器件。长期从事光电化合物半导体材料(主要为III-V族及II-VI族化合物半导体)的制备、缺陷控制及相关器件(主要为LED及太阳能电池等)研究,并取得优秀成果。发表学术论文120余篇, 论文他引1200余次。主要研究领域包括:1. 化合物半导体的外延生长及缺陷控制;2. 化合物半导体的化学合成;3. 化合物半导体器件(LED及太阳能电池)制备;4. 化合物半导体材料的微观结构与器件的性能模拟;5. 非晶态材料的原子结构(实验及理论计算)。
刘新科
刘新科,深圳大学微电子研究院院长助理、材料学院研究员,新加坡国立大学访问教授,广东省自然科学基金杰出青年项目获得者,长期从事宽禁带氮化镓以及氮化镓异质结的半导体器件研究,在Adv. Mater., Adv.Funct.Mater., 等知名期刊发表第一或通信作者SCI收录论文93篇,申请专利50项,授权专利12项并完成转让,科研成果被Semiconductor Today,MaterialsviewChina多次报道,科研成果被Photonic Research 和Advanced Electronic Materials选为封面文章。目前承担国家科技部重点研发计划课题和任务各一项、国家自然科学基金两项、广东省重点研发计划课题三项,深圳市基础研究布局一项、深圳市技术攻关一项等10多项科研项目。
杨学林,2004年获吉林大学学士学位,2009年获北京大学理学博士学位,2009-2012年在日本东京大学从事博士后研究,目前为北京大学宽禁带半导体研究中心高级工程师,国家优秀青年科学基金获得者(2019年)。近年来主要围绕Si衬底上GaN基功率电子材料和器件开展研究工作,在Si基GaN厚膜及其异质结构的MOCVD外延生长、C杂质的掺杂机理、缺陷态影响电子器件可靠性等方面取得了多项成果。迄今共发表SCI论文70多篇,包括以第一/通讯作者在Phys. Rev. Lett.、Adv. Funct. Mater.、Appl. Phys. Lett.等期刊上发表SCI论文30篇。在本领域国内外学术会议上做邀请报告13次,申请/授权国家发明专利13件。主持和参加国家自然科学基金优青、面上、青年项目,国家重点研发计划课题,广东省重点研发计划课题,863课题等10项科研任务,正在积极推动科研成果转化。
  张薇葭,美国Analog 设备公司IC电源控制组设计工程师。

最新日程如下:
总F1-功率电子器件与应用论坛-B-氮化镓功率器件_2_副本
备注:日程或有微调,皆以现场为准。

附件:论坛资料
第七届国际第三代半导体论坛
暨第十八届中国国际半导体照明论坛
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
 
IFWS & SSLCHINA 2021
 
国际第三代半导体论坛(IFWS)是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会,是前瞻性、全球性、高层次的综合性论坛。会议以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作,引领第三代半导体新兴产业的发展方向为活动宗旨,全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展,联结产、学、研、用,提供全球范围的全产业链合作平台。在过去的六年时间里,IFWS延请宽禁带半导体领域国际顶级学术权威分享最前沿技术动态,已发展成具有业界影响力的综合性专业论坛。
 
中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)是半导体照明领域最具规模、参与度最高、口碑最好的全球性专业论坛。论坛以促进半导体照明技术和应用的国际交流与合作,引领半导体照明产业的发展方向为活动宗旨,全面覆盖行业工艺装备、原材料,技术、产品与应用的创新发展,提供全球范围的全产业链合作平台,致力于拓展业界所关注的目标市场,以专业精神恒久缔造企业的商业价值。在过去的十七年里,SSLCHINA邀请了包括诺贝尔奖得主在内的全球最顶级专家阵容,呈现了超过1800个专业报告,累计参会代表覆盖全球70多个国家逾26500人次。
 
国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛同时同地举办,同台汇力,相映生辉,放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。
 
论坛长期与IEEE合作。投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表,IEEE是EI检索系统的合作数据库。目前,论坛同期论文已开启征集,论坛长期与IEEE合作。投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表,IEEE是EI检索系统的合作数据库。

2021先进半导体技术应用创新展(CASTAS 2021)也同时招展中,欢迎业界人士的参与其中,对接资源,洽谈商机,共商产业发展大计。
 
据了解,目前论坛组织工作正有序开展中,以下为会议最新信息:
 
论坛信息
会议时间:2021年12月6-8日
会议地点:深圳会展中心(福田区)
会议住宿:深圳·大中华希尔顿酒店
论坛主题:创芯生态  碳索未来
 
主办单位
国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)
第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)
 
论文重要期限及提交方式
 口头报告演示文件(PPT或PDF)与POSTER电子版提交截止日:2021年11月28日
备注:目前已经进入专家审稿程序,在全文提交截止前仍可继续投稿,欢迎大家直接投全文!
IFWS & SSLCHINA 2021会议日程
备注:总体日程概览或有微调,以现场为准。
注册费用权益表
1124权益表

备注:

*国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。

*学生参会需提交相关证件。

*会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

*若由于某些原因,您缴费后无法参会,可办理退款事宜,组委会将扣除已缴费金额的40%作为退款手续费。

*SSL相关会议包含:开幕大会、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、固态紫外器件与应用论坛、材料与装备论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、生物农业光照技术研讨会、闭幕仪式。

*IFWS相关会议包含:开幕大会、功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、材料与装备论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、第三代半导体标准与检测研讨会、闭幕仪式。

*产业峰会包含:车用半导体创新合作峰会、第三代半导体产教融合发展论坛,以及部分论坛中的产业单元(包括照明设计与文旅灯光、智慧照明与智慧城市、汽车照明与车用灯具、紫外器件应用、Mini/Micro-LED应用与产业、新一代电源应用技术、能源互联网应用技术等会议单元)。

*餐饮包含:126日午餐、6日欢迎晚宴(大中华希尔顿酒店)、7日午餐+晚餐

报名优惠期
即日起至2021年12月3日之前,完成注册缴费即可享受折扣票(详见上图),国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。学生参会需提交相关证件。会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
 
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