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深圳大学微电子研究院刘新科:2寸独立晶圆上1.7 kV垂直
GaN
-on-
GaN
肖特基势垒二极管
电子科技大学李曦:
GaN
HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究
西安电子科技大学宁静:基于维度调控的
GaN
紫外LED及光电集成
中山大学江灏:利用界面效应的高Al组分Al
GaN
的高效p型掺杂及其深紫外光电探测应用
郑州大学Mussaab I. Niass:蓝宝石衬底上B
GaN
基深紫外边发射激光二极管的仿真研究
挪威科学院院士Helge WEMAN:使用石墨烯作为透明导电衬底的Al
GaN
纳米线UV LED
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif:铟摩尔分数对In
GaN
基近紫外发光二极管光学性能的影响
第三代半导体产业乘风破浪,谁将会傲立潮头?
第三代半导体
氮化镓
碳化硅
GaN
衬底
Micro-LED
COB
Mini
COB
功率半导体:新能源需求引领,行业快速发展
SiC
GaN
第三代半导体
功率半导体
国星光电:公司Micro LED芯片实现小批量供货 已开展
GaN
功率器件研发工作
IFWS 2021前瞻:中科院半导体研究所副所长张韵将出席射频电子器件与应用论坛
中科院
半导体研究所
副所长
张韵
亚毫米波段
GaN基
HEMT
苏州纳米所孙钱团队在硅衬底
GaN
基纵向功率器件方面取得新进展
闻泰科技:安世半导体推出领先性能的氮化镓功率器件 (
GaN
FET)
GaN
快充将于2025年占领一半市场
晶湛半导体8寸
GaN
项目开建
第三代半导体为什么这样火?4 张图秒懂
GaN
、SiC 关键技术
西电郝跃院士团队成功突破柔性高性能
GaN
半导体外延材料与器件制备技术
预估2025年
GaN
于快充市场渗透率将达到52%
千呼万唤始出来的苹果
GaN
快充,拉开下一个
GaN
爆点的序幕
华微电子:公司正在积极布局以SiC和
GaN
为代表的第三代半导体器件技术
苹果上架首款
GaN
充电器,售价729元
英诺赛科邹艳波:All-
GaN
系列方案在快充领域的应用
【CASICON 2021】苏州能讯高能半导体Amagad Ali Hasan:基于物理的5G射频
GaN
晶体管模型、趋势和挑战
【CASICON 2021】南京大学徐尉宗:面向高可靠性、高能效应用的
GaN
HEMT增强型器件技术
【CASICON 2021】苏州晶湛半导体向鹏:用于新型
GaN
功率器件的外延技术进展
【CASICON 2021】南京邮电大学张珺:基于人工神经网络的Al
GaN
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GaN
HEMT反向特性表征技术
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和
GaN
HEMT在过压开关中的鲁棒性
【CASICON 2021】北京大学杨学林:Si衬底上
GaN
基电子材料外延生长技术研究进展
【CASICON 2021】西交利物浦大学刘雯:硅基
GaN
MIS-HEMT单片集成技术
【CASICON 2021】青岛聚能创芯刘海丰:面向快充应用的
GaN
材料和器件技术
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