期间，“固态紫外材料与器件技术“论坛上，郑州大学Muhammad NawazSharif做了题为“铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响”的视频报告，分享了最新研究成果，报告显示，InGaN基量子阱 (QW) 具有更高的穿透位错密度 (TDD)，尽管TDD较高，但QW中的铟 (In) 波动会产生具有较高铟成分的局域激子。定域激子防止结合载流子非辐射复合，因铟成分较高而减少的非辐射复合导致自发发射率和内量子效率 (IQE) 提高。
报告指出，尽管具有更高的TDD，基于InGaN的MQW具有更高的局域激子生成，这可以防止束缚载流子非辐射复合，从而提高性能。计算结果表明，随着 InGaN MQW中铟成分的增加，辐射复合率和载流子注入效率提高，从而显著提高了 IQE 和发射功率。
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