英诺赛科邹艳波:All-GaN系列方案在快充领域的应用

日期:2021-10-11     来源:半导体产业网    
核心提示:大功率快充期望功率密度进一步提高,更多中大功率的设备将使用GaN PD快充。
随着市场对快充适配器功率密度的不断追求,适配器的开关频率逐渐提升,以缩小内部元件体积,传统的Si MOS器件,开关损耗和驱动损耗已经明显拉低了适配器的转换效率,器件限制不能继续提高工作频率,限制了磁性元件的缩小,不能进一步提升适配器的功率密度。
 
近日,由半导体产业网、第三代半导体产业(公号)、博闻创意会展(深圳)有限公司共同主办的“2021第三代半导体技术及充电产业合作论坛”在“ELEXCON深圳国际电子展暨嵌入式系统展”同期举行。论坛特别邀请第三代半导体相关专家、快充产业链相关专家及企业代表,探讨第三代半导体技术及充电产业机遇与挑战。英诺赛科科技有公司高级产品应用经理邹艳波带来了题为“All GaN 系列方案在快充领域的应用”的主题报告。分享了All-GaN 创新解决方案。
邹艳波
英诺赛科科技有公司高级产品应用经理 邹艳波


他表示,大功率快充期望功率密度进一步提高,InnoGaN 30W~120W 功率段终端产品上市,更多中大功率的设备将使用GaN PD快充。

同时,报告还详细介绍了65W、120W、240WAll-GaN 创新解决方案,其中,65W2C1A,开关频率:400KHZ功率密度:25W/in3;120W 单C,开关频率:400KHZ,功率密度:38W/in3;240W 48V/5A,开关频率:500KHZ,功率密度:41W/in3。

他表示,英诺赛科是全球首条8英寸硅基氮化镓IDM量产线,全球专利700+,产品主要为30V-650V GaN FET,目前在珠海和深圳拥有研发生产基地,深圳拥有市场和应用基地,2021年底产能可达1万片晶圆/月。未来,氮化镓的应用将在消费类电子、工业和汽车领域的创新应用值得期待。

嘉宾简介
邹艳波,有丰富的氮化镓器件应用于高频高密电源开发经验,原任职于ICT领域知名企业,从事手机、AI智能云服务器和5G通信设备的供电解决方案的前沿技术的研究和开发。现负责氮化镓器件产品应用开发与规划,构建公司氮化镓器件产品在5G通信,新能源汽车,智能手机,人工智能,大数据中心等战略新兴领域的竞争力。

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