近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。
期间，“固态紫外材料与器件技术“论坛上，西安电子科技大学副教授宁静做了题为“基于维度调控的GaN紫外LED及光电集成”的主题报告。
报告指出，可见光信息传输系统的出现正在深刻影响着物联网技术的未来，物联网复杂的传感和驱动电路已成为阻碍信号转换和处理的关键因素。研究首次报道了可转印的大面积的GaN外延材料，发展了多维度异质结在宽禁带材料生长机理。采用了磁控溅射氮化铝/石墨烯复合缓冲层在c面蓝宝石衬底上生长出大面积高质量的GaN薄膜，成功实现了微小电流下国际最高亮度的柔性GaN紫外LED。进一步将提出柔性传感器与LED阵列集成技术，成功实现了高灵敏度、高稳定性的硅基GaN自变压光电集成系统（SVV-LTS），并展示了其在低功率、自供电光通信传输系统中的应用潜力。研究将为实现影响物联网技术的低功率光通信传输系统提供一种新方法，同时也是基于GaN新型生长机理的原创性工作，对扩展宽禁带半导体材料异质集成应用具有重要指导意义。
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